【2017年整理】工艺报告.docVIP

生产实习报告要求 一、工艺原理 1、氧化：在硅工艺中，通常利用到硅氧化形成的致密的二氧化硅薄膜。形成的二氧化硅不但能紧紧地依附在硅衬底表面上，而且具有良好的化学稳定性和电绝缘性。在本次生产实习制作二极管中，主要是利用它对某些杂质起到的掩蔽作用，即某些杂质在二氧化硅中的扩散系数与在硅的相比非常小。目前，制备二氧化硅的主要方法有热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法，化学气相淀积法、热氧化法等。根据氧化剂的不同可以分为干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化。其中，水汽氧化速率最快，但质量最差；干氧则是质量最好，而制备速率最慢。在实习中进行硅氧化时，采用的是先干氧、再湿氧，最后干氧的氧化步骤，以实现氧化时间和氧化层质量的优化。 2、扩散：集成电路制造中的固态扩散工艺，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质质量、分布形式和深度等都满足要求。扩散分为两种类型:替位式扩散和间隙式扩散。杂质离子占据硅原子的位置的扩散成为替位式扩散，例如杂质离子为Ⅲ、Ⅴ族元素时的扩散，这种扩散一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行。磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层。间隙式扩散杂质离子位置位于晶格间隙如Na、K、Fe、Cu、Au 等元素的扩散，间隙式扩散扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 3、光刻：是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机。光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体，有正胶负胶之分。正胶分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。负胶分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 4、金属化：金属及金属性材料在集成电路技术中的应用。在集成电路中，金属是具有重要功能的一类材料。按其在集成电路中的功能划分，可分为三类：MOSFET栅电极材料，互联材料，接触材料。集成电路中使用的金属材料除了常用金属如AL,Cu,Pt,W等意以外，还包括重掺杂的多晶硅，金属硅化物，金属合金等材料。 二、二极管制作 1、工艺流程： N/型衬底——氧化生长——光刻窗口——P型掺杂——光刻接触孔——金属淀积——Al反刻——合金——测试 2、工艺条件： 工艺名称 工艺条件 结果 投片日期 操作者 氧化 光刻一 硼预淀积 硼再扩散 光刻二 蒸铝 光刻三 3、测试结果： 对于通常使用的二极管，我们更加关心的是二极管的反向击穿特性，获得以确定的二极管所能工作的电压反而，因此在实习的最后，我们利用扫描示波器及外加电源通过分析二极管的反向特性曲线，读出硅片上制得的二极管的反向击穿电压，测试结果如下图所示： 击穿电压测试（不少于十个测试点） 4、结果分析： 有测试结果可以看出，同一硅片在同样的工艺条件下各点的工艺参数并不是均匀的，少数点处的击穿电压过低，不符合要求。以下是引起硅片上各点参数不同的可能原因： 1）光刻胶的厚度不均匀影响工艺结果 2）二次扩散导致片上各点杂质浓度不均，进而导致击穿电压的不同 3）高温坏境下，晶格内部部分重构，使PN节存在尖峰等缺陷 4）偏上清洁度不够，存在粘污，从而影响了反向特性 5）测试方法的粗糙也会对结果产生误差 三、实习收获与建议 三天的实习，是我大学学习生活中最快乐的一段时光。也将是我最难忘的一段时光。两天虽然短暂，但是影响深远，意义重大。 首先，感谢李跃进老师，感谢丁瑞雪老师，感谢李亚妮老师。感谢三位老师的耐心讲解，我认为，三位老师的人格魅力远远超过实验室里的设备对我的吸引，事无巨细，一起交流实习中的问题，大学经历的感悟，对未来的打算，甚至是生活中的烦恼，这种互动带给我本科学习阶段很少感觉到过的温馨。 其次，本次实习是一个发现问题解决问题的过程，因为设备简陋，时间仓促。制造中会有许多突发的情况。每一次思考都是一场头脑风暴，理思路，知差距，明不足。督促自己在专业上继续学习 再次，我在本次实习中具体操作了测试部分。这次动手虽然难度并不高，但是却体验到了与人合作的快乐 最后，希望学院可以创造条件，延长实习时间。最好能把实习安排在大三。