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1绪论 1.1研究背景和现状 1.1.1集成光学的发展和表面等离子体的提出 自从1969年美国贝尔实验室的S.E.Miller第一次提出“集成光学”的概念，集成光学在理论和应用方面得到不断发展。集成光学包含了光学、激光学、微电子学、光电子学、通讯技术、薄膜技术等，它主要研究二个方面的内容：一是研究如何把各种光电子器件集成在同一衬底上形成具有一定功能的微型光学系统，以及如何改善该系统性能；二是研究光在波导介质中的激发、耦合、传导和损耗等物理现象和性质，以及相应的光学器件。随着光电子技术的不断发展及微纳型光电子器件制造工艺水平的显著提高，集成光学的发展趋势将是微型化、高度可集成化、高速化。 目前的制造工艺水平已经可以将电子电路制成100纳米以下，然而，由于受到衍射极限的限制，光子回路尺寸还在微米量级，在此情况下不能满足光信号的传输、存储和相关处理，也不能现代电子电路满足对光电子器件微型化和高度集成化的要求。因此，光学领域中在纳米尺寸上对光传播行为的控制以及亚波长尺寸的光电子器件的制作得到了人们广泛的关注，成为集成光学领域的研究热点和探索方向。 在纳米尺寸上对光进行控制主要有二种方法：一是基于光子晶体的结构。光子晶体是被人为按一维、二维或三维周期性排列后所形成的电磁介质，其排列周期通常与工作波长在一个数量级内。光子晶体中的光子是可控的，并且它们的特性是高度可预测的。在光子晶体中，通过有目的地引入缺陷，如高品质因数的微腔以及线缺陷波导等，可以使电磁态或者传输态局域化。二是基于表面等离子体的结构。利用金属纳米结构的表面等离子体共振特性实现了在纳米尺寸上对光强和光传导的控制，可以被用来制作现有电子学元件无法匹敌的微型化高度可集成化的光学器件[1]。后者是本文的研究重点。 人们对表面等离子体的研究已经有了100多年的历史，可以追溯到十九世纪初。1902年R.W.Wood在实验室观察到金属光栅的反常衍射现象，首次观察到了表面等离子体共振现象，他称之为“Wood异常”[2]。1941年U.Fano根据金属光栅与空气界面上表面电磁波的激励，解释了“Wood异常”现象，提出了表面等离子体波的概念[3]，沿金属与电介质分界面上传播的平面电磁波，其振幅随离开分界面的距离按指数衰减，这种表面波只能是TM波，称为表面等离子体波。1957年R.H.Ritchie首次提出了用于描述金属内部电子密度纵向波动的金属等离子体的概念[4]。1959年Powell和Swan通过实验证实了Ritchie提出的理论[5]。1960年Stern和Farrell研究了等离子体模式的共振条件，首次提出表面等离子体共振的概念[6]。1968年A.Otto利用衰减全反射的方法研究了金属和电介质界面用光学方式激发表面等离子体共振问题[7]。同年，Kretschmann和Reather用另一种衰减全反射的结构激发起了表面等离子体共振[8]。 当一束TM波从电介质入射到金属中时，自由电子会在电介质与金属分界面累积产生表面极化电荷，这些表面极化电荷密度的空间分布沿着金属表面产生疏密波形式的振荡，即表面等离子体波（Surface Plasmon Wave,SPW）。表面等离子体波在金属与电介质的分界面上传播，能量局限在表面附近，振幅在垂直于界面方向按指数衰减。当入射电磁波沿分界面方向的波矢量与表面等离子体波的波矢量相等时，可激发表面等离子体共振（Surface Plasmon Resonance,SPR）[9]。 1.1.2表面等离子体共振的应用 利用表面等离子体可以将光学控制的维度从三维降为二维，实现纳米尺度超衍射极限光传输的有效控制，同时可以在纳米尺度上实现电磁场能量的局域汇聚放大。 由于利用表面等离子体可以实现纳米尺寸上的光传输、光存储等光控行为，有效突破了传统的光衍射极限，而且表面等离子体能够在纳米空间尺寸范围内约束电磁场能量、增强局域空间场强，使其在纳米光电子器件及光器件集成等纳米光子学领域有着重要的应用前景。随着对表面等离子体研究的日益深入和高精度纳米加工技术的不断进步，表面等离子体成为目前研究的热点和探索的方向。因此，基于表面等离子体共振的光电子器件得到了长足的发展。 基于表面等离子体共振的光电子器件得到了不断发展和广泛应用，如电磁隐身装置[10,11]，亚波长传输线路和共振器[12]，灵敏天线[13]等。表面等离子体共振能产生巨大的局域场增强效应，将电磁场能量约束在金属与电介质分界面处的纳米空间尺寸范围内，表面等离子体的亚波长约束特性使表面等离子体波被认为是目前微纳级集成光学器件最具有潜在应用价值的信息载体。 1.1.3基于表面等离子体的吸收器件的发展 目前，一种基于表面等离子体共振的电磁超材料（Meta