第二章 文獻探討 第一節 LED 產業.PDFVIP

台灣 LED 產業上中下游專利佈局之比較研究 第二章 文獻探討 第一節 LED 產業 一、 LED的定義 發光二極體(Light Emitting Diode, LED)是一種固態的半導體元件，利用二極 體內分離的2個載子，分別為帶負電的電子與帶正電的電洞，相互結合的過程中剩 餘能量會以光的形式釋放出來，也就是我們所知的光子，屬於冷光發光，不同於鎢 絲燈泡的熱發光原理，只要在LED元件兩端通入極小電流便可發光。 LED製作材料通常為砷、磷、鎵等Ⅲ-Ⅴ族元素，製作過程包括上游的晶圓 製作、磊晶成長，中游的擴散制程、金屬蒸鍍、晶粒製作，以及下游的產品封裝及 應用市場等。LED因其使用的材料的不同,其二極體內中電子、電洞所佔的能階也 有所不同, 能階的高低差影響結合後光子的能量而產生不同波長的光,也就是不同顏 色的光,如紅、橙光、黃、綠、藍或不可見光等 . 我們可把LED所發出的光分成可見光 LED (波長450~780nm)及不可見光 LED (850~1550nm) 。在可見光LED 部份，若再依亮度來又分為傳統亮度LED 及高 亮度LED(見表一) ，傳統亮度LED 主要以GaP1 、GaAsP 及AlGaAs2 等材料做成，主 要發出黃色到紅色的光，在可見光部分傳統亮度產品已是成熟型產品，產量雖大， 不過由於價格低產值不高；高亮度LED 主要以 AlGaInP 及GaInN 等材料做成，依 不同的材料能做到的發光範圍較傳統亮度廣，主要應用在大型看板、交通標誌、背 光源、汽車第三煞車燈。 較成熟的 AlGaInP (紅、橙、黃光)應用廣泛，價格已與傳 1 GaP ，磷化鎵，Ⅲ- Ⅴ族（三五族）元素化合的化合物。GaP 是一種間接遷移型半導體，具有 低電流、高效率的發光特性，可發光範圍函蓋紅色至黃綠色，為 LED 主要使用材料之一。 2 AlGaAs ，砷化鋁鎵，為GaAs 和 AlAs 的混晶。AlGaAs 適合於製造高亮度紅光及紅外線 LED ，主要以LPE 磊晶法量產，但因需製作 AlGaAs 基板，技術難度高。 13 台灣 LED 產業上中下游專利佈局之比較研究 統亮度接近，前一波最熱門的藍光，主要是用 GaInN 所做的晶粒，而目前最看好 白光LED 的市場需求， 近期全彩手機風行，使白光背光源炙手可熱，隨著技術進 展，也正逐步取代一般照明市場，擁有十分龐大的商機。 在不可見光LED 方面，又可分成紅外線LED (波長850~950nm)及光通訊 LED及LD (波長 1300~1550nm) ，其中以紅外線LED 應用範圍較為廣泛，除了以往 的搖控器、開關等傳統應用之外，也包括資訊設備、無線通訊及交通系統等新應用 的IrDA3模組。光通訊 LED/LD4 主要是做為光通信模組、條碼讀取頭、CD 讀取頭 及半導體電射等用途。 由於這方面投入較高，技術難度大，產品的價格與毛利率 也較好，目前市場是美、日、歐等大廠分食的局面。 而台灣目前主要是以可見光 為主，而且競爭相當激烈，然而在不可見光的部份，台灣廠商不只在營收上佔的比 重比較少，在全球的佔有率上也是很小，所以不可見光仍有很大的發展空間。 LED的優點 其較傳統的燈泡有許多的優點如:壽命長、省電、較耐用、耐震、牢靠、適 合量產、體積小、反應快，故下游應用的產品種類與範圍日趨增多，惟生產照明用 所需的藍光在專利權保護下，產品價格仍高,加上所產生的白光較傳統的照明器材 3 IrDA Infrared Data Association 。紅外線傳輸埠。為短距離無線傳輸技術之一。IrDA 是 93 年由 HP 、IBM 、Sharp 、SONY 等五十家廠商在美國建立的標準。主要在整合資訊週邊紅外線 傳輸裝置，建立統一傳輸標準，與其他標準最大的不同在於，紅外線傳輸是利用直線可見光進 行，每一傳輸點之間，不可以有外物阻隔或其他電子設備干擾。IrDA 藉由紅外線進行傳輸， 有效傳輸距離達 8 公尺，傳輸速率達每秒 16Mbps ，發射解度達120 度，可應用在桌上型電 腦、筆記型電腦、數位相機、行動電話及個人行動助理 (PDA) 等產品，使用者只需在電子產品 上，安裝紅外線傳輸埠之後，可以直接和另一種電子產品，不需再用線路或網路卡連接兩端裝 置，就可輕鬆、高速的傳輸資料。 4 雷射二極體(Laser Diode-LD)又可稱為半導體雷射，和 LED 產品同樣具有輕薄短小、高