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微机电系统制程 Microfabrication technology 第四讲：清洗与湿法腐蚀 乔大勇 课程内容 一 标准清洗 二 硅湿法腐蚀  污染来源  单晶硅特性  RCA清洗技术  硅的湿法腐蚀  去有机物清洗技术  硅的各向同性湿法腐蚀  去除原生氧化层  硅的各向异性湿法腐蚀  完整的清洗流程 标准清洗-污染来源 污染物主要来源于以下几个方面 分为以下五类 硅片盒 空气 颗粒污染 硅片操作 衣服 金属杂质 工艺设备 电荷积聚 有机物污染 光刻胶或其它有机物 家具 原生氧化层 金属腐蚀 操作人员 静电电荷 溶剂和化学试剂 标准清洗-污染来源 颗粒污染 在半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸应该小于最小器件特征 尺寸的一半。对于64-k的DRAM器件，可以忍受0.25um直径的 颗粒，但对于 4-M的DRAM器件, 只能容许 0.05um直径的颗 粒污染。 典型颗粒的直径:  肉眼可见颗粒：50um  头发: 75-100um(depending on age)  烟雾: 0.01-1um  红细胞: 4-9um 5 6  人静止时每分钟产生10 个颗粒，走动时产生10 个颗粒 标准清洗-污染来源 颗粒污染 标准清洗-污染来源 金属杂质 金属离子在半导体材料中是高度活性的，被称为可动离子 污染(MIC)。当MIC引入到硅片中后，在整个硅片中移动， 严重损害器件电学性能和长期可靠性。未经处理过的化学 品中的钠是典型的、最为普遍的MIC之一，人充当了它的 运送者。人体以液态形式包含了高浓度的纳 （唾液、眼泪 和汗液）。硅片加工中应该严格控制钠污染。 标准清洗-污染来源 有机物污染 有机物污染是指那些包含碳的物质，几乎总是碳自身同氢 结合在一起。有机物污染主要来源于细菌、润滑剂、蒸汽、 清洁剂、溶剂和潮气等。用于半导体的加工设备应该尽量 避免使用润滑剂。 标准清洗-污染来源 原生氧化层 如果曝露于室温下的空气或含有溶解氧的去离子水中，硅 片的表面将被氧化。这一薄层氧化层称为原生氧化层。当 硅片表面曝露在空气中时，一秒中之内就有几十层水分子 吸附在硅片上并向硅片内部渗透，这使得硅表面在室温下 发生氧化。原生氧化层的厚度随曝露时间的增长而增加。 原生氧化层将妨碍其它工艺步骤，增加接触电阻，减小甚 至阻止电流流过。原生氧化层同时也包含一些金属杂质， 随着金属杂质向硅中的扩散会引起电学缺陷。 标准清洗-污染来源 静电电荷 静电积累电荷的总量通常很小 （纳库仑级别），但可以形 成高达数万伏的高压，当静电电荷从一个物体向另一个物 体未经控制地转移，可能在几个纳秒的时间内产生超过1A 的峰值电流，甚至可以蒸发金属连线和击穿氧化层，导致 微芯片损坏。静电电荷的另外一个问题就是它产生的电场 能吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅表面，产生致 命缺陷。 标准清洗-污染来源 控制污染最有效的途径时防止污染，半导体行业通过采用 1)人员穿戴洁净服并将半导体生产线布置在净化间中来消 除