慢正电子束技术的应用及发展.PDFVIP

物理学进展990204 物理学进展 PROGESS IN PHYSIGS 1999年 第19卷 第3期　No.3 Vol.19 1999 慢正电子束技术的应用与发展 韩荣典　叶邦角　翁惠民　周先意　范扬眉　杜江峰 摘　要　本文介绍了慢正电子束技术和最新发展，慢正电子束作为探针的基本特性， 以及在多种学科中的应用等。 关键词　慢正电子束　表面　缺陷　寿命　S参数　界面 APPLICATION AND DEVELOPMENT OF SLOW POSITRON TECHNIQUE 1 1 1 Han Rongdian　Ye Bangjiao　Weng Huimin 1,2 1 1 　Fan Yangmei　Du Jiangfeng Zhou Xianyi of Science, Shenyang 110015) Abstract been discussed in detail. Keywords 0　引　言 　　21世纪科学的发展将是微观与宏观的相互渗透与密切结合，凝聚态物理、材料科 学等的研究，将由现在的宏观统计方法(包括宏观量子统计)深入发展到物质的原子层 次物性研究，微观粒子(颗粒、孔隙)的量子效应越来越显示出重要作用，这些研究将 对物质科学、信息科学及计算机等学科的发展起到关键作用。 　　由于上述课题涉及微观体系的多粒子问题，加之材料样品在制备过程中条件复 杂，且难于精确控制，造成原子所处环境多变，微结构复杂，使得所研究的问题变得 复杂而困难，必须采用多种手段从各不同角度进行观测，再综合分析，才能获得满意 的结果。探测微观信息的手段已有不少，例如各种电镜、光学显微镜、卢瑟福背散 射、中子衍射、深能级瞬发谱、二次离子谱等，虽然各自给出了许多有价值的结果， 但这些方法基本上不能给出原子尺度局域缺陷及微观物相变化的信息，也无法探测表 面最外面几层原子的状况，并且多为破坏性测量或造成较大的辐照损伤。慢正电子束 技术恰好弥补了这些手段的不足。图1表明了慢正电子谱学与其它方法之间的比较。 万方数据 file:///E|/qk/wlxjz/wlxj99/wlxj9903/990304.htm（第 1／33 页）2010-3-23 10:16:37 物理学进展990204 图1　正电子谱学与其他技术在研究材料中缺陷的比较 ［1］ 提出的设想的基础上在1958年被 　　正电子慢化技术是在1950年Madanski和Rasetti ［2］ 在实验上首次实现的，此后，许多科学家在提高慢化效率上取得了进展， Cherry ［3］ ，正电子慢化技 七十年代末，Bell实验室的Mills等找到了一种高效的正电子慢化体 术才获得了突破性进展。目前主要的慢正电子束流装置有两大类：一类是基于放射性 22 6 + 同位素的，如 Na，其束流强度通常很难超过10 e/s；另一类是基于加速器或反应堆 7 10 + 的，通常流强可达10～10 e/s，即所谓的强流慢正电子束。 　　由于慢正电子束技术对复杂材料的分析有明显的优越性