掩膜点光源LED优化传感器照明课件.PDFVIP

掩膜点光源LED优化传感器照明 自从商业LED （发光二极管）在20世纪60年代末推出，在广泛的应用上逐步采用此技术，从消 费品到公共照明，包括专业领域，如工业设备的机器视觉或医疗仪器的精密照明。 在过去几十年中LED的不断演变，现今在大多数领域LED被视为最好的解决照明方案，提供高光 功率，高效率和低量产成本。 然而，仍有细分市场认为目前的LED性能不太理想。这部分市场的需求不仅要求高效率照明， 也要求发光二极管高质量的辐射图。 本文描述了一种LED技术的新进展，称为掩膜点光源LED，针对相比传统LED提供更高品质照明 的应用。本文对比了点光源LED和当前LED的技术，并提供了一些使用掩膜点光源应用受益的案 例。 内容表： 1) LEDs 的技术和特性 2) 掩膜点光源LED 的结构 3) 传统LED 和掩膜点光源LED 的对比 4) 应用实例 4.1) 改良的光学传感器信号处理 4.2) 更灵活的光学结构设计 5) iC-Haus 掩膜点光源LED 的益处 6) 概括 7) 文献参考 ©2015 iC-Haus GmbH 第1/ 11 页 1) LED的技术和特性 LED - 发光二极管–是基于电致发光工作原理的一种装置：这一现象可以简单描述为一个非热 的电能转换成光辐射（相对于白炽原理，其光辐射是通过热量的发射产生的）。虽然电致发光 在二十世纪初已经是一个已知的现象，但直到二十世纪60年代才出现我们今天熟知的LED[1]。 LED操作背后的物理原理依赖于一个简单的半导体的PN接合（即：一个二极管）。和任何其他 二极管操作一样，当应用在一个正向电压，电流从正极（P型半导体）流向负极（N型半导体）。 在PN结，正、负电荷载体重组，这个过程释放出一个光子。通过优选适合二极管结构的半导 体材料，可以控制发射光子的波长，因此使该器件能够产生可见光辐射（或隐形的的光频谱- 红 外或紫外线- 如需要）。 如插图1所示一个简化的LED物理结构： 图1：LED的基本结构（体积光辐射）。 正如图1所示，LED的基本结构是由：一个生长在基板上的半导体，分为一个P掺杂层，和一个 在其上的N掺杂层。PN结是电荷重组的地方，发射光起源于此。这个区域的辐射光被称为活跃 区域（图1清晰显示了活跃区域从其他部分分离出来）。使用一个打线接合将负极导线连接到 N层（顶部），而正极导线直接连接到基板（底部）。 组成P和N区结构的材料定义发射光的光谱。举例一些用于制造LED的半导体，如：砷化镓（GaAs ）， 氮化铟镓（InGaN），砷化铝镓（AlGaAs ）和其他。 ©2015 iC-Haus GmbH 第2/ 11 页 上述提到的LED结构对来自活跃区域的所有方向提供光发射。这被称为体积光辐射，是目前最 常用的LED技术，主要是由于其简单的制造工艺和高强度的光与整体的低成本。 随着LED技术的进一步推进，一种被称为表面光辐射的新技术产生。这种LED需要修改制造工艺， 如图2所示的结构。 图2：修改后的表面光辐射LED的结构 表面光辐射LED和体积光辐射LED是基于同一基本概念：即一个负极的N型半导体在正极的P型 半导体上面。两种LED的半导体材料都是相同的，但有一个额外的修改是：活跃区域被隔离墙 包围着，使二极管的活跃区域局限在一部分。活跃区域周围的隔离墙不允许传输光，导致二极 管没有横向发射。由于没有光从结构的侧面发射，而底部通常是连接到封装，唯一的辐射源是 LED的顶部表面。 上述的表面光辐射技术的附加改进，即在活跃区域下面加入一个反射层的制造工艺，从而将底 部的光反射到顶面表面，增加LED的亮度和效率。 由于相对于传统LED, 表面光辐射LED的附加制造步骤和较低密度晶圆的高成本原因，表面光辐 射LED不像体积光辐射LED一样被普遍采用。表面光辐射LED主要应用在须非常谨慎操控的光辐 射。 2) 点光源LED的结构 表面光