半导体物理与器件第三章3分解.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 小结 3.4 状态密度 1 K空间中量子态的分布 1 K空间中量子态的分布 2 状态密度（单位能量的量子态数） 考虑能带极值在k=0，等能面为球面，各向同性E(k）-K关系为： 2 状态密度 2 状态密度（单位能量的量子态数） 与能量E 有抛物线关系，电子能量越大，状态密度越大 还与有效质量有关，有效质量大的能带中的状态密度大。 状态密度同时是体积密度和能量密度 实际半导体中，由于有效质量可能有方向性，等能面不为球面，则有效质量采用平均的有效质量来计算，称为状态密度有效质量 等能面不是球面（是？），各向异性的有效质量mn 导带底极值不在K=0处，而且有多个对称的导带底状态 2 状态密度（单位能量的量子态数） 起作用的能带是极值相重合的两个能带，分别对应轻空穴和重空穴 极值在K=0处，等能面为球形。 3.5 统计力学 费米-狄拉克概率分布函数 从微观上讲，每个电子所具有的能量时大时小，但从宏观上看，在热平衡状态下，多个电子按能量大小具有一定的统计分布规律性 1 费米分布函数 费米（Fermi）能级是费米分布函数的重要参数，确定了费米能级即可确定电子在各个能态的分布几率，它与温度，半导体材料类型等有关。 费米能级就是系统的化学势，处于热平衡的系统具有统一的化学势，也即具有统一的费米能级。 1 费米分布函数 1 费米分布函数 可见一般温度情况下： 费米能级以上的量子态基本是空的，费米能级以下的量子态基本被电子所占据。而费米能级处的几率总是1/2 此外，随着温度升高，电子占据高能态的几率增加，而占据低能态的几率下降 1 费米分布函数 费米能级EF的意义： EF 的位置比较直观地反映了电子占据量子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。一般温度下费米能级以上的量子态基本是空的，而费米能级以下的量子态基本被电子所占据 EF 越高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子占据。 考虑量子态密度g(E)是能量E的连续函数，如左图中的曲线所示，假设系统中的电子总数为N0，在T=0K时，电子在这些量子态上的分布情况如图中虚线所示。电子首先从低能级开始往上填充，最后使得费米能级EF以下的能级全部填满，而EF以上的能级全部为空。只要已知g(E)和N0 ，则可以很方便地确定费米能级EF。 2 费米-狄拉克分布的玻尔兹曼近似 2 玻尔兹曼分布函数 量子态被空穴占据几率 量子态被空穴占据几率 简并与非简并半导体 因导带中的电子主要分布在导带底，价带中的空穴主要分布在价带顶 本章小结 能带的形成，能带的分类，E-k能带图 固体导电机理 电子有效质量、空穴 状态密度函数 费米分布函数 费米能级 玻尔兹曼近似 GaAs和Si的能带图，直接带隙和间接带隙半导体 * * 载流子的分布位置： 导电电子处于导带底 导电空穴处于价带顶 导带 价带 电子 空穴 在外加电场下半导体可导电，电流为： 其中n，p为载流子浓度 求解能带导电的载流子浓度问题，需要知道： 1能带中允许的量子态按能量如何分布-状态密度g(E) 2电子在允许的量子态中如何分布-概率分布函数f(E) 3计算不同温度下的载流子浓度（第四章） 设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，体积为V，则定义状态密度g(E)为： g(E): 能量E附近单位体积单位能量间隔的量子态数 状态密度的推导过程： (1)计算K空间单位体积的量子态数，即K空间的状态密度 (2)能量间隔dE对应的K空间体积，并与K空间状态密度相乘，得到dZ (3)根据定义计算g(E) 三维晶体，波矢K的取值 L为晶体线度（大小），则晶体体积为: 一组K取值对应一个允许的能量状态，根据第一章分析由于受边界条件限制nx，ny，nz取整数，K取值是不连续的，即允带内的能量是不连续的 每一个K取值在在k空间中对应一个点，每个点由一组整数（nx,ny,nz）表示。 k空间中，每一个允许的量子态的k空间代表点分布均匀，且都与一个8π3/L3的立方体相联系，即每一个8π3/L3的立方体中等效有一个允许的量子态 K空间状态密度： 考虑电子自旋，电子的K空间状态密度为2V/8 π3 计算半导体导带底附近的状态密度 因等能面为球面，能量为E和E+dE之间的量子态数dZ对应于K空间两个球壳之间量子态数，球壳体积为 则： 根据E(K)-k关系将k用能量E表示： 及 代入dZ得： 导带底附近状态密度为: 同理可得价带顶附近的相应公式 状态密度与能量关系 状态密度特征 实际的硅、锗半导体导带底状态密度 由硅，锗导带底E(K)-K关系： 可得导带底状态密度为： mdn为导带底电子状态密度有效质量 S为对称的导带底状态数，si为6，ge为4 能带特点 实际的硅、锗半导体价带顶状态