半导体物理第一章.ppt

探针2处的电势： 探针3处的电势： 探针2和3之间的电势差： 取S1=S2=S3=S，则： 实际测试中要注意：探针及尖，间距足够小（1mm）;避免电流过大。 1.6 方块电阻 描述扩散薄层的导电性能的重要参数。 扩散后的杂质浓度分布（p型） 离开表面深度 如图，受主杂质浓度与施主杂质浓度相等的地方xj是P型和N型的交界面，此处形成PN结。 xj称为结深。表面厚度为xj的这一层叫做扩散薄层，通常厚度为几个微米。 对于电阻率恒定的薄层导体，如果其宽为W、厚为d，则其电阻为： 比例系数 称为方块电阻 对于电阻率不恒定的薄层导体， 如果忽略迁移率随着杂质浓度的变化，则 显而易见，方块电阻与杂质总量成反比。因此，在扩散工艺中，常用 标志扩散杂质的总量。 看书自学： 方块电阻的测量与结深测量相结合，可以估算表面杂质浓度。 根据方块电阻表示扩散薄层中杂质总量这一物理概念，通过测量方块电阻可以求出扩散薄层中的杂质分布。 四探针法测试扩散薄层电阻率（方块电阻） 由于PN结的阻挡作用，探针1和4之间的电流只在扩散层内通过；因此，四探针法直接测试的是扩散层的导电性能。 扩散层厚度一般仅几个微米，相对于探针间距是很小的，因此，扩散层可看成为一个无限薄层。 如图电流I通过探针流入薄层，在半径r处实际上是通过一个高为xj的圆柱面流开的。圆柱面的总面积为： 则可得到半径r处电场为： 相应的电势函数