光纤光栅应用-专题周记系统.PDFVIP

光纖光柵應用 指導老師：劉文豐 組員：王伶綺、陳芃孜 日期： 2015/5/20 一、應用 近幾年來，「光纖光柵」在製造技術上的明顯進步，正迅速衝激著這兩種光 通訊技術系統的設計走向。根據加拿大 CRC研究中心的預測：在未來幾年內，光 纖光柵的世界市場值將增加至一億美元的規模，主要原因是光纖光柵被廣泛地應 用在光通訊上的影響。本刊於 Vol.6,1996已對光纖光柵做過專文簡介，本期將 再就光纖光柵的製程技術和在光通訊 系統上的應用趨勢做進一步的深入探討。 光纖光柵是在直徑約10微米的單模光纖纖核上曝上週期性的強紫外光條紋， 這些紫外光條紋主要是用波長為248nm或 193nm的準分子雷射經干涉或透過相位 光罩所形成的。 此干涉條紋將在纖核形成週期性的折射率變化，當入射光波長滿足Bragg 條件時， 其散射光將沿原光路返回而形成光濾波器。在實用及量產方面 ，1989 年UnitedTechnologies發展出「全像干涉法」大幅提升光纖光柵的實用性；繼 之，1993 年Hill發展出「相位光罩法」更使得光纖光柵的量產可行性大為增加。 光纖光柵的主要性能參數包括：反射波長、中心波長反射率、譜線線寬和損 耗等。這些性能參數則受到折射率變化、光柵長度、光柵週期等結構參數的影響。 一般而言，光纖光柵的工作波長決定於光柵週期；而光纖光柵的工作頻寬及 反射 率則決定於光柵的長度及纖核折射率的變化量。光柵越長，其頻寬越窄、反 射率也越高，而纖核折射率的變化量更關係著產品的品質與製造成本。因此，製 造技術改進主要在增加折射率變化量。 一般認為光纖光柵製造過程中，光纖折射率的變化是因為纖核內的Ge-Si 錯鍵(wrongbonds)因紫外光照射而斷裂，減輕了 Ge-Si錯鍵所造成的應力，此過 程造成光纖折射率的改變。另有些則主張是因為纖核內的GeO 缺陷吸收紫外光， 造成 colorcenter 而改變了光纖的吸收光譜而造成光纖折射率的變化。 因此一般增加折射率變化的方法主要是增加摻鍺濃度。例如：摻硼可以減小 數值 孔徑，從而容許增大鍺含量，以提升其感光性。用氫氣焰來回烘燒要感光的 區段，在溫度高達 1700℃下持續約 20 分鐘之後，能增加光纖中的鍺缺陷，使同 樣的紫外光曝光，折射率改變增大十倍以上。 在充氫氣的環境下進行曝光，也可增加感光的靈敏度，降低曝光所需的時間， 這是因為紫外光子打斷了摻雜點的化學鍵，這個處於激發態的鍵同附近的 H2 分 子反應生成了Si－OH鍵和新的鍺缺陷，伴隨著折射率的增加。其過程是將裸光 纖置於幾百個大氣壓的高壓氫氣中數百個小時，然後進行 UV 光曝光，便可以獲 得大於光纖核、纖殼折射率差的折射率增值。折射率差可達10-2數量級 ,然而氫 載的感光性是暫時的， 必須在光纖取出高壓艙後馬上進行UV曝光。 除摻雜濃度外，光纖中的折射率改變量還與許多參數有關，如：照射波長、 光纖類型、光纖溫度以及該段光纖以前的歷史和曝光功率、曝光時間等。其中， 當紫外光 脈沖能量小於 10mJ時可以形成 I型光柵，當脈沖的能量大於 40mJ時， 則可以形成 Ⅱ型光柵。 Ⅰ型光柵不穩定，它可以被藍光或綠光擦除，或置於 450℃幾秒鐘即被擦除。 若要在被擦除的地方再形成同樣折射率變化的光柵，所需要的曝光量將比前一次 的曝光量更大。 Ⅱ型光柵是很穩定的，能在 1800℃下經過 10 小時而不會使折射率發生變化。 Ⅱ型光柵的形成原理不同於 Ⅰ型光柵，大於 40mJ的光脈沖在光纖內引起幾千度 的溫升，會使紫外吸收快速增長。 另外當形成 Ⅱ型光柵時，由於強的布拉格反射使在小於布拉格諧振波長數十 nm 範圍內有一附加損耗帶，它起因於導模耦合成纖殼模。要想 消除這種損耗，可以 從光 纖的結構入手，在纖核和纖殼中間加入一個中介層，該中介層採用鍺、氟共 摻雜，使它的折射率與纖殼的折射率相當。而中介層的鍺含量與纖核內鍺含量一 樣大。這樣當光纖曝光後，纖核和纖殼的折射率變化相同，這樣導模傳輸的模場 區域內折射率變化相同，便不會發生耦合附加損耗了。最後，在紫外形成光柵中， 隨著曝光量的增大雖折射率改變增大，但同時也伴隨著諧振波長向長波長方向漂 移。其原因是氫載光纖中紫外形成光柵消耗了光纖核區