公开课教案7_2晶体管.doc.docVIP

课题 晶体管 课型 授课班级 授课时数 授课时间 2009.4.30（星期四下午第1节） 授课人 徐海 教学目标 教学重点 教学难点 教后记 【教学过程】 【一、复习】 1．二极管的正向偏置和反向偏置的不同表现。 2．基尔霍夫电流定律。 【二、引入新课】 晶体管的分类：按材料分有硅晶体管和锗晶体管；按结构类型分有NPN型和PNP型。 【三、讲授新课】 7.2.1 晶体管的外形、结构和符号 晶体管的外形、内部结构示意图和符号如图7.4所示。 （a）外形 （b）NPN管结构和符号 （c）PNP管结构和符号 图7.4 晶体管 NPN型晶体管发射极电极（符号箭头向外）形象地指出发射极电流的流动方向是由管内流向管外，而基极电流和集电极电流是流入管内的；PNP型晶体管的情况正好相反（符号箭头向内），电流由发射极流入，由集电极和基极流出。 7.2.2 晶体管的放大作用 晶体管放大作用可按图8.5连接电路。发射极作为公共端接地，并选取UCC UBB。 在基极回路电源UBB作用下，发射结正向偏置（即基极电位高于发射极电位）。 在集电极回路电源UCC作用下，集电结反向偏置（即集电极电位高于基极电位）。 图8.5 晶体管的放大作用 调节电阻RB，观察基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE。 （1）IB变化（增大或减少），IC和IE都会随之相应的变化（增大或减少）。 （2）IE ??IB + IC = ( 1+? )IB ，且IC IB 。 （3）IC和IE的比值基本为一常数，称为晶体管的电流放大系数，用字母β表示。 ? = 或 IC =? IB （4）发射结电压在0.5 V以下时，IC???IE???0，这种情况下晶体管处于截止状态。 （5）基极电流IB增加到一定数值时，就会发现集电极电流IC不随基极电流IB增大而增大。这种情况下晶体管处于饱和状态。 就其本质而言，晶体管的“放大”是一种控制，是以较小的电流IB控制较大的电流IC。 7.2.3 晶体管的主要参数 1．电流放大系数（? ）是表征晶体管电流放大能力的参数。通常以100左右为宜。 2．集电极最大允许电流（ICM）是指当晶体管集电极电流超过ICM时，晶体管的参数将会明显变化。 3．集电极最大允许耗散功率（PCM）是指为了限制集电结温升不超过允许值而规定的最大值，该值除了与集电极电流有关外，还与集电极和发射极之间的电压有关。 4．集电极、发射极之间反向击穿电压（U（BR）CEO）是指晶体管基极开路时，集电极和发射极之间能够承受的最大电压。 练习 小结 ?）IB 4．β称为晶体管的电流放大系数：IC =? IB 5．晶体管的主要参数其物理意义是：?——反映电流放大能力；ICM——对晶体管集电极电流的限制；U（BR）CEO——晶体管集电极和发射极之间能够承受最大电压的限制等。 布置作业