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电子元器件工作状态失效模式及频率表 电子元器件, 频率表, 模式, 状态, 失效 国产电子元器件工作状态失效模式及频率表! B4 W c, a4 e; C??IB1 电阻) H) V; P7 M; r) F金属膜电阻器（功率P?ü2W）：开路91.9%；参数漂移8.1%。7 F* [( N5 P6 ^% g o8 @0 C) G碳膜电阻器（功率P?ü2W）：开路83.4%；参数漂移16.6%。- G7 F6 }9 x??G* J/ N??i精密线绕电阻器：开路97%；参数漂移3%。7 p) D??g+ Y1 c3 U8 \% e: B% ~功率线绕电阻：开路97.1%；参数漂移2.9%。( Q# C0 |1 \* e1 M# x2 }3 wB2 电位器! ^, I??`7 ^$ r- f: v$ F0 W. O普通线绕电位器：接触不良39.3%；短路12.1%；开路48.6%。8 V5 ]# }8 h; K Z Q, U w1 O5 V微调线绕电位器：接触不良80%；短路10%；开路10%。1 N% D2 {* _( V0 ? Z9 h x有机实芯电位器：接触不良33.8%；短路5.6%；开路60.6%。7 S4 u9 N+ h. `5 T% S E: i( R1 S合成碳膜电位器：接触不良40%；短路8.7%；开路34.2%；参数漂移17.1%。9 [+ S3 M5 a% z4 c1 H3 ]B3 电容器??J L( B1 l$ d纸和薄膜电容器：短路74%；开路13%；参数漂移13%。/ k2 d+ T1 f h7 G; L玻璃釉电容器：短路53%；开路25%；参数漂移22%。0 d) H9 `5 I( T; w4 u. k云母电容器；短路83%；开路10%；参数漂移7%。: ]6 C+ O: w Z6 p/ q1、2 类瓷介电容器：短路73%；开路16%；参数漂移11%。! y2 J. x% d; J$ _# ~固体钽电解电容器：短路75%；参数漂移25%。* v n; y% }# i6 g# S, ^: f铝电解电容器：短路83%；开路17%。# v) w8 C6 f2 G. z; O7 k1 i) KB4 感性组件0 K??~ ^; F0 C# f: Q9 T变压器：开路40.2%；短路28%；参数漂移8.4%；其它23.4%。( Z u! { h5 T线圈：开路39.4%；短路18.3%；参数漂移25.4%；其它16.9%。1 C??R# \4 a7 K7 N# ?! o8 F: OB5 继电器) n- l! [ y0 x$ u触点断开44%；触点粘结40%；参数漂移14%；线圈短、断路2%。3 B$ s$ o, V1 fB6 半导体分立器 W( N3 b. q* Q: M双极型晶体管：开路42%；短路38%；增益等性能的退化20%。; [, Q$ u. Q6 I: \4 A- I5 O场效应晶体管：开路40%；短路35%；电参数漂移25%。, k7 X6 I5 U% x0 m, N5 ~, |单结晶体管：开路30%；短路24%；电参数漂移46%。- t: i2 K0 L% F% N闸流晶体管：开路20%；短路15%；参数漂移65%。0 E0 g- L% b: v# l+ A普通二极管：开路50%；短路17%；参数漂移33%。6 i/ f$ r3 P K. D( c$ W G电压调整及电压基准二极管：开路25%；短路29%；参数漂移46%。) I$ m1 @% h% U/ w??X, {微波二极管：开路80%；短路9%；参数漂移11%。/ u! f/ n J4 B* J3 }1 U变容、阶跃、隧道、PIN、体效应二极管：开路50%；短路7%；参数漂移43%。% B* {: e; A# j+ z4 s, u1 h光电子器件：开路25%；短路20%；参数漂移55%。( C! b$ N: X. d q5 z! fB7 半导体集成电路3 o- q- w; z% o+ v3 { r0 Z6 b双极数字电路：高输出（1）10%；低输出（0）15%；性能退化50%；断路20%；短路5%。9 G/ w( ?/ T% [+ w, o7 mMOS 型数字电路：性能退化60%；断路25%；短路15%。/ c: J W: H7 h双极与MOS 型模拟电路：阻塞60%；断路30%；短路10%。6 H0 @# V: Z; w! ?B8 混合电路 h i* N# K4 F; a性能退化40%；塌丝20%；低温下不起动20%；漏气20%。; \. V) Z K4 j8 |4 V) }( k7 M# S3 O T k国外电子元器件工作状态失效模式及频率表) z# Q8