第二章实验方法与装置介绍-HMLT低温高磁实验室.docVIP

第二章 實驗方法與裝置介紹 本章將對本實驗所使用之樣品結構，包括低頻樣品製作以及CPW樣品元件之製作、封裝與訊號測試作一介紹。並且對實驗量測系統與方法加以敘述說明。 2.1 樣品介紹與製作 2.1.1 樣品介紹 我們用到的樣品有GaAs/AlGaAs異質接面(heterojunction)結構的二維電子系統(2DES)及Si/SiGe異質接面結構的二維電洞系統(2DHS)，分別說明如下： GaAs/AlGaAs (Mbe6-102) 本樣品是經由分子束磊晶技術(MBE)所生成，於樣品表面具有Si-modulation–doped的GaAs/AlGaAs異質接面(heterojunction)，為一高品質的二維電子系統樣品，在低溫(＜4K)時之電子層濃度約為1.2×1011，移動率大於5×105 Si/SiGe (N383) 本樣品是由臺灣大學凝態中心鄭鴻祥博士利用分子束磊晶技術(MBE)所生成之表面具有Si/SiGe異質接面(heterojunction)的二維電洞系統(2DHS)樣品(見圖2-1-1)。其結構為在Si的基材上先生成一層厚度為1000?的緩衝層(buffer)，接著生成厚度為300?的SiGe與厚度為100?的隔離層(spacer layer)，在隔離層上方成長一層掺雜濃度為1.6×1012的p型δ-doping層，最後則是厚度為500?的Si覆蓋層(cap layer)。 另外，避免導電層與樣品間的漏電流，100?的SiO2。(?)的鋁(Al)，其中鋁的作用是用於與Si/SiGe材質形成良好歐姆接點的金屬材料。 燒結退火：與前述van der Pauw製作方法大致相同，但最後爐管的溫度須定為470℃並燒結退火15分鐘後，待樣品溫度降低後始可完成。 Hall bar pattern 製作：此製作過程即為光微影製程(photolithography process)，必須全程在黃光室中進行。我們所使用的是中興大學電機系江雨龍教授的黃光室設備，其中包括光阻塗佈機(Spinner)及光罩對準機(OAI 200 JBA’s Mask Aligner , 接觸式Ultra-UV光源475μm , 3.5~3.7 mW/cm2)。我們對應使用的是AZ6112正光阻液及AZ300顯影液，先利用光阻塗佈機使得樣品表面的光阻層均勻分佈(厚度約為1μm)，並進行軟烤(soft bake)以增強光阻層對樣品表面的附著力，再利用光罩對準機對特定圖案(mesa mask) (即圖2-1-4(b)所示)曝光，被紫外光照射到的光阻可被顯影液溶解並清除，而留下未曝光區域的光阻於樣品表面上即形成所需的Hall bar pattern。最後再進行硬烤(hard bake)使更進一步增加光阻層對表面的附著能力，並強化光阻層的鍵結，達到抗酸的效果，以利後續蝕刻步驟。其中光微影製程的參數測試請見附錄A。 蝕刻：主要目的為去除未被光阻層覆蓋的樣品部位，使Hall bar pattern得以在樣品表面被定義出來。我們對於Si/SiGe材質所配製的蝕刻液配方為NH4F : H2O2 = 3.7g : 10ml，其蝕刻速率為0.7μm，蝕刻時間為10min，可得蝕刻深度7μm。 光阻剝離: 將蝕刻後的樣品浸泡於丙酮(ACE)內，以去除原先覆蓋於樣品上的光阻層，即完成樣品之製作。 接線：在此可直接利用鎊線機將各歐姆接點以金線(直徑約1 mil)接線至樣品基座。其使用原理為當鎊線機瓷嘴前端產生的金球與金屬表面接觸時(ball bounding)，瓷嘴前端會產生超音波振動及高溫使兩者可互相黏合而完成接線步驟。 2.1.2.2 CPW樣品元件之製作 CPW樣品元件之製作流程共有下述六個步驟：(1)光罩的設計及製作，(2)樣品清潔，(3)光微影製程(Photolithography process)，(4)熱蒸鍍金屬材料(Metal deposition)，(5)光阻剝離(left-off)，(6)樣品元件接線。 光罩的製作：在確定了樣品材料厚度(h)以及金屬導電層厚度(t)後(見圖2-1-5)，我們可藉由Harmonica軟體計算得到CPW樣品元件的設計參數線寬(滿足50阻抗匹配)，其主要參數計有中心傳導帶寬度(S)及傳導帶與接地間間距()，再利用DesignCAD軟體完成樣品光罩的圖形(見圖2-1-6)，最後送至交大半導體中心(SRC)完成CPW樣品元件光罩的製作。 以下為本實驗所設計的光罩線寬尺寸表: 樣品材料 S (μm) (μm) Si/SiGe 41 25 GaAs/AlGaAs 43 28.5 表2-1 本實驗設計的CPW光罩線寬尺寸表 另外，為了能夠在有限面積中增加CPW的傳輸距離(~13.5mm),故特別將傳輸路徑設計為曲折形狀,並在兩傳輸端點