4光吸收发射.pptVIP

由于电子的公有化运动，与轨道对应的能级分裂为能带，即每个能级分裂成很多个非常靠近的能级，;半导体材料能带结构; 各类固体材料的吸收光谱其具体情况可以有很大差别。通常以一个假设的半导体吸收光谱为典型例子。;在它的低能量端，吸收系数陡然下降，称为吸收边缘。边缘界限对应于价带电子吸收光子（hν=Eg）跃迁至导带的长波限,波长大于此限的光(hν＜Eg)不能引起本征吸收。; 当光波长稍长于吸收边缘界限，若晶体是理想完整的，禁带内没有杂质或缺陷能级，这时的光吸收只能把电子激发到禁带中的某些能级上。;在自由载流子吸收区中，当光波长处于20～50μm时，存在有入射光子和晶格振动之间的相互作用所引起的一组新的吸收峰。离子晶体吸收系数可达105cm－1，同极晶体吸收系数约为10～102cm－1。; 杂质吸收因固体材料及材料中杂质各类而异。假设杂质具有浅能级（约0.01eV，这种杂质吸收仅在较低温下（使kT〈杂质电离能，k为玻尔兹曼常数〉，才能被观察到。 与磁性材料有关的自旋波量子吸收和回旋共振吸收是固体物理研究范畴，这里不作讨论。;2．2．1 本征吸收; 两种类型的半导体： 直接带隙半导体 导带中最低能量状态的波矢值k*min（通常在k=0处）和价带中最高状态的波矢值kmax相同； 化合物半导体GaAs，GaSb，InP，InS和Zn，Cd，Pb硫属化合物等。 ; 1）直接跃迁 直接跃迁是在两个直接能谷之间的跃迁，且由一个带到另一个带的跃迁中，仅垂直跃迁是允许的。 取价带顶为能级零点，则每一个Ei的初态对应于某个Ef的终态，即 ; 但是在抛物线能带的情形，则有 （23） 和 （24） ;;;2）间接跃迁 ; P1跃迁前的电子准动量，P2为跃迁后的准动量。略去被吸收的光子的动量，则大小为（P2－P1）的动量必须由晶格来补偿。 这可以通过吸收一个动量为（P2－P1）的声子，或者是发射一个动量为（P2－P1）的声子来实现。 为简单，取k1=0，k2=P2/?=kmin，一个波矢量为kmin的声子必须被吸收者被发射。 根据从晶格振动谱得到的声子的能量与波矢量的关系，可获得相应于kmin的声子能量Ep。由价带顶到导带能谷之间的跃迁可以发生的最低频率由下式给出：; 对于吸收一个声子的情形为 h?=Eg－Ep （33） 对于发射一个声子的情形为 h?=Eg＋Ep （34） 从式（33）和（34）看出，两个最低频率确定了半导体本征吸收带的不同的长波限。现将由于间接跃迁（图7）而引起的吸收系数αi写成下面的形式： αi＝αe＋αa（35） αe＋αa分别是由于声子的发射和吸收而引起的贡献，它们由下式给出： ;; ; 价带电子穿过势垒跃迁到导带的几率明显增大，发生能量小于禁带宽度的光子的本征吸收，这种效应称为夫兰茨－凯尔迪什效应。在h?Eg时的允许直接跃迁吸收系数为 ;由上式可见，有直流电场时，hvEg的光子吸收系数随hv的降低近似地呈指数衰减，并且使本征吸收限向长波方向移动（如图9）;有强电场时原子发射谱线发生移动及分裂，在电场强度约为105V/cm的范围以内，分裂间隔大小与电场成正比。;当温度升高时，在禁带宽度Eg值为1eV数量级或更低的半导体中，决定光吸收和光辐射的物理量对温度变化很敏感，材料的性质将不再主要由掺杂决定。;Ge在不同温度下的光吸收限和GaAs在室温下的光吸收限分别如图所示。比较两个图，揭示Ge和GaAs的吸收系数对光子能量关系存在着小的差别。; 间接跃迁和直接跃迁都在Ge中出现，虽然间接跃