三重大学大学院工学研究科三重大学極限ナノ.PDFVIP

三重大学大学院工学研究科 三重大学極限ナノエレクトロニクスセンター 平松 和政 2012年11月12 日（月）名古屋市工業研究所ホール 窒化物半導体の光 LEDデバイス作製 デバイスの現状 と結晶成長の課題 •窒化物半導体 •LED基板の課 の応用デバイス 題 •窒化物半導体 •非極性GaNと発 の発光デバイス 光デバイス 動向 •ボイド形成と歪 制御術 •光取出し技術 2 バンド構造の特徴 •直接遷移型 •広範囲のエネルギーギャップ（InN:0.65eV, GaN:3.4eV, AlN:6.2eV） •ヘテロ接合、超格子構造、量子構造の利用、大きなDEc •小さな電子親和力（AlN ：負の電子親和力） 電気伝導の特徴 7 •高い飽和ドリフト速度 （GaN:2.7x10 cm/s） 6 •大きな絶縁破壊電界 （GaN:2.6x10 V/cm） その他の特徴 •高い熱伝導率 （AlN: 2.9 W/cm ･K 、GaN 1.3W/cm ･K) •安全な材料 緑、青、白色 緑、青紫、紫外 紫外光検出デバ 紫外LED 紫外LD LED LD イス • 大型ﾃﾞｨｽﾌﾟﾚｲ •高精細ﾌﾟﾛｼﾞｪｸﾀ • 殺菌 • レーザ顕微鏡 • ｵｿﾞﾝ層検出 • 信号灯 •高密度光記憶 • 表面洗浄・改質 • 高精細印刷 • 火炎センサー • 液晶ﾊﾞｯｸﾗｲト •表面検査 • 公害物質分解 • 高分子微細加工 • 離着陸誘導 • LED照明 •高精細印刷 • 光励起プロセス • ウェハ表面検査 • 燃焼制御 • 農業・漁業・医療 •レーザ顕微鏡 • 光硬化 • リソグラフィ 応用 •ウェハ表面検査 • 高演色LED • 高密度光記憶 • 蛍光・吸光分析 光エネルギー変 サブバンド間遷 超高周波デバイ パワー・耐環境 冷陰極電界放出 換デバイス