磁控溅射制备五氧化二钒薄膜的研究.PDFVIP

维普资讯 奎查笙簦!壁 鍪塾 鱼至墨垡三 蔓堕 壅 — — 磁控溅射制备五氧化二钒薄膜的研究 李志栓 ～，吴孙桃 ，李 静 ，郭东辉 。 (1．厦门大学 物理系，福建 厦门 361005；2．厦门大学 萨本栋微机电研究中心，福建 厦门361005) 摘 要 ： 采用射频磁控溅射 的方法，在不 同条件下制 (99．999／6)，通过改变衬底 的温度 、溅射功率 以及氧气 备了氧化钒薄膜样品，分别在不同温度条件下做 了退 (0。)和氩气(Ar)的流量 比，在不同的条件下制备了氧 火处理，并对退火前后样 品做 了X射线衍射 (XRD)、X 化钒薄膜样品，制备的样品分别在纯氩气 (Ar)环境下 射 线光 电子能谱 (XPS)和激光扫描共聚焦显微镜测试 做了退火处理。 与分析，旨在得 出制备 良好的V。Os薄膜 的条件 。 薄膜厚度采用 Dektak3表面测厚仪测量。XRD 关键词 ： 射频磁控溅射 ；氧化钒薄膜 ；XRD；XPS；激 测试仪器是 RigakuD／max-re，激发源采用铜靶 (Cu， 光扫描共焦显微镜 Ka一0．15406nm)，用 0-20方式测试。XPS采用 PHI 中图分类号 ： TQ135．1 文献标识码 ：A Quantum 2000ScanningXPSMicroprobe(USA)仪 文章编号 ：1001-9731(2005)02—0285—03 器测试，激发源采用单色铝靶 (by一1486．6eV)，测试 真空度高于 5×10_。Pa。用 OlympusOLS12OO—FAR2 1 引 言 激光扫描共焦显微镜扫描 了退火前后样 品的表面形 氧化钒因其具有重要的特性而被人们广泛的研 貌 。 究。其中V O 因为其 良好的催化特性及 电致变色特 3 结果与讨论 性，而被广泛用作各种化学反应及 电致变色的催化 剂Ⅲ ，同时V0 也具有很好的电化学性能。理论上， 钒作为过渡金属，存在多种化合价态 ，这使得沉积 VO 中平均一个钒原子可 以接受两个金属锂原子，具 的氧化钒薄膜可能是各种氧化钒物相的混合物，我们 有 良好的嵌锂性能，这使得把 VzOs用作高容量锂 电 通过 XRD来筛选制备的样 品，再对基本为Vzos物态 池的阴极膜有很大的吸引力[23。现在 VO 由于其 良 的薄膜样品做 XPS分析。 好的嵌锂性能及稳定的放 电平台已经被用作高容量锂 3．1 XRD分析 电池的阴极材料D ]。溶胶一凝胶[6]、磁控溅射[5]、化学 XRD测试显示退 火前 的样 品为非 晶态 ，只在 气相淀积口等很多种方法可 以被用来制备氧化钒薄 28．5。左右出现一个 Si(111)晶面的衍射峰，退火后的 膜。作为过渡金属氧化物 ，氧化钒 中的钒会 以不同价 样 品为结晶态 。在做了许多实验的基础上，得出经验 ： 态存在，同时V—O键 的复杂性也会增加制备单一物 在其它条件相同时，适当升高衬底温度或减小溅射功 态氧化钒薄膜的难度。本文采用射频磁控溅射的方 率 ，可以提高薄膜样品中高价钒的含量；在其它条件相 法，在不同条件下制备了氧化钒薄膜样品，分别做了退 同时，适当降低衬底温度或增大溅射功率 ，可以使退火 火处理。对退火前后样品采用 XRD、XPS和激光扫描 后的薄膜样品有更好的结晶。因此我们通过适当调整 共聚焦显微镜做了测试与分析 ，旨在得到良好的V O5 氧氩 比(o ／Ar)、溅射功率及村底温度可 以制得 良好