第八章OLED的器件设计.pptxVIP

第8章 OLED的器件设计;8.1 穿透式与上发光型OLED结构 一般OLED器件的光都是经由基板射出，也就是下发光型。而所谓的上发光型就是光不是经过底下基板而是从其反面射出。如果基板之上为高反射的阳极，而阴极是透光的，则光是经由表面的阴电极放光。阳极材料若还是使用传统的透明ITO阳极，搭配透明阴极则器件的两面都会发光，也就是所谓的穿透式器件。 图8-1（a）上发光型器件;(b)下发光型器件；（c）穿透式器件;由于主动式OLED发光器件是有薄膜晶体来控制的，因此如果器件是以下发光形式放光，光经过基板时势必会被建立在基板上的TFT和金属线电路所挡住，所以实际发光的面积就会受到限制，缩减可以发光的面积所占的比率，也就是所谓的开口率。 图8-2 下发光型与上发光型主动面板示意图 ;穿透式器件的优势在于，不显示信息时面板是半透明的，显示信息时从两面都可接收到信息。利用此特性，其应用与设计可以更灵活。穿透式与上发光型器件的发展必须先将阴极的透射率提高，因为光是透过阴极发出，因此阴极的透射率决定了器件出光的多少。而阴极通常都是由金属组成，透射率要高则势必要把金属厚度变薄，太薄无法导电，且会影响器件的工作稳定性，因此透光度受到一定的限制。;8.1.1透明阴极发展介绍;表8-1 透明阴极的发展 ;1996年，Forrest等人率先使用10nm的Mg:Ag(30：1