第二章 门电路_免费下载.ppt

2. 二极管或门电路 2.1.3. 半导体三极管非门电路 2.1.4. DTL门电路 2.1.4. DTL门电路 2.2TTL集成门电路 2.2.1 TTL与非门 2.2.2. TTL与非门的外部特性及其参数 2. TTL“与非”门的几个主要参数 （3 ） CMOS传输门(双向模拟开关) 电路 逻辑符号 υI / υO υo/ υI C 等效电路 CMOS传输门电路的工作原理 设TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2 V?I的变化范围为－5V到+5V。 ?5V +5V ?5V到+5V ?GSN VTN, TN截止 ?GSP=5V ? (-5V到+5V)=(10到0)V 开关断开，不能转送信号 ?GSN= -5V ? (－5V到+5V)=(0到-10)V ?GSP0, TP截止 1）当c=0， c =1时 c=0=-5V， c =1=+5V T P v I /v O T N v O /v I C C +5V - 5V C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C +5V ?5V ?GSP= ?5V ? (－3V~+5V) =?2V ~ ?10V ?GSN=5V ? (－5V~+3V)=(10~2)V b、?I=?3V~5V ?GSNVTN, TN导通 a、?I=?5V~3V TN导通，TP导通 ?GSP |VT|, TP导通 C、?I=?3V~3V 2）当c=1， c =0时 CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。 0.00087~22 0.0003~7.5 2.9 BiCMOS 13 1? (1MHz) 13 74HCT 15 1.5? (1MHz) 10 74HC 105 1?(1MHz) 75 4000B 延时功耗积 (pJ) 功耗 (mW) 传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF) 参数 系列 2. 4. 4 CMOS逻辑门电路的主要参数 CMOS门电路各系列的性能比较 2.4.5 CMOS数字集成电路系列简介 1.基本的CMOS——4000 系列 工作电源电压范围为3～18V，由于具有功耗低、噪声容限大、扇出系数大等优点，已得到普遍使用。缺点是工作速度较低，平均传输延迟时间为几十ns，最高工作频率小于5MHz。 2.高速的CMOS——HC（HCT）系列 HC/ HCT是高速CMOS逻辑系列的简称。该系列电路主要从制造工艺上作了改进，使其大大提高了工作速度，平均传输延迟时间小于10ns，最高工作频率可达50MHz。HC 系列的电源电压范围为2～6V。HCT 系列的主要特点是与TTL器件电压兼容，它的电源电压范围为4.5～5.5V。 3.AHC/AHCT系列 AHCT 系列与TTL 器件电压兼容，电源电压范围为4.5～5.5V。AHC 系列的电源电压范围为1.5～5.5V。 4.LVC系列和ALVC系列 LVC系列不仅能提供更大的负载电流，在电源电压为3V时，最大负载电流可达24mA。 2.5 集成门电路的使用 2.5.1 TTL门电路的使用 电源 （1）TTL门电路对电源电压的纹波及稳定度一般要求≤10%，有的要求≤5%，即电源电压应限制在5±0.5V（或5±0.25V）以内； （2）电流容量应有一定富裕； （3）电源极性不能接反，否则会烧坏芯片，对此可与电源串接一个二极管加以保护。 指一个“与非”门能带同类门的最大数目，它表示带负载的能力。对于TTL“与非”门 NO ? 8。 1）输入高电平电流 IIH和输入低电平电流 IIL 当某一输入端接高电平，其余输入端接低电 平时，流入该输入端的电流，称为高电平输入电流 IIH（?A）。 当某一输入端接低电平，其余输入端接高电平时，流出该输入端的电流，称为低电平输入电流 IIL（mA）。 6.带负载能力（扇入数、扇出数） 例：估算图示电路扇出系数NO GP G1 Gn 已知门电路的参数如下： IoH/ IoL=1.0mA/-20mA IiH/ IiL=50?A/-1.43mA 试求门GP扇出系NO 解：讨论这类问题时，要对GP 门输出低电平和高电平情况，分别讨论，然后取两个数中较小的作为扇出系NO IoH/ IoL=1.0mA/-20mA IiH/ IiL=50?A/-1.43mA GP 门输出高电平时，后接的每个门流入的电流为2IiH，则可