1、基元器件3.1.pptVIP

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1、基元器件3.1

模拟电子技术; 第一章 半导体器件基础;;半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:;1.1 半导体的基本知识; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发,也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高(温度越高),产生的电子空穴对越多。;动画演示 自由电子和空穴 本征激发;自由电子 带负电荷 电子流;动画演示 空穴的移动;二. 杂质半导体;; 在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。;杂质半导体的示意图;内电场E;少子飘移;;1、空间电荷区中没有载流子。;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区,负极接P区 ; 由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式;1.2 半导体二极管;半导体二极管的型号; 一 、半导体二极管的V—A特性曲线;二. 二极管的模型及近似分析??算;;二极管的近似分析计算;例:二极管构成的限幅电路如图所示,R=1kΩ,UREF=2V,输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号,分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo;(2)如果ui为幅度±4V的交流三角波,波形如图(b)所示,分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;三. 二极管的主要参数;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;负载电阻 。;令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。;五、光电二极管;五、发光二极管;小结

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