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第三章 金属－氧化物－半导体场效应晶体管;本章内容;1、MOSFET的物理结构;P-Si;剖面图;MOSFET是一个四端器件： 栅 G （Gate），电压VG 源 S （Source），电压VS 漏 D （Drain），电压VD 衬底 B （Body），电压VB 以源端为电压参考点，端电压定义为: 漏源电压 VDS=VD - VS 栅源电压 VGS=VG - VS 体源电压 VBS=VB - VS;MOSFET正常工作时，D、B和S端所加的电压要保证两个PN结处于反偏。 在直流工作下的器件，通常假设器件只有漏－源电流*或简称漏电流 IDS，并将流向漏极方向的电流定义为正。 MOSFET各端电压对漏电流都有影响，电流－电压的一般关系为：;SiO2;基本假定 长沟和宽沟MOSFET：WLToxXc 衬底均匀掺杂 氧化层中的各种电荷用薄层电荷等效，并假定其位于Si-SiO2界面 强反型近似成立;强反型近似 强反型时：耗尽层宽度反型层厚度*，耗尽层两端电压反型层??端的电压，耗尽层电荷反型层电荷 强反型后，栅压再增加，将导致沟道载流子数目增加，但表面耗尽层宽度不变，耗尽层电荷不变，耗尽层两端电压不变 。 *通常我们假设反型层无限薄，载流子在硅表面形成面电荷层，并且在反型层中没有能带弯曲。;在栅压为零时，从源电极和漏电极被两个背靠背的PN结隔离，这时即使在源漏之间加上电压，也没有明显的漏源电流（忽略PN结的反向漏电流） ;当在栅上加有足够大的电压时，MOS结构的沟道区就会形成反型层，它可以把源区和漏区连通，形成导电沟道，这时如果在漏源间加有一定的偏压，就会有明显的电流流过。;假设栅电压VGSVT，漏电压VDS开始以较小的步长增加;VGSVT;ID;一般长沟道器件的 IDS~VDS 特性;直流特性的定性描述：转移特性;按照沟道类型分类 NMOS：衬底为P型，源、漏区为重掺杂的n+, 沟道中载流子为电子 PMOS：衬底为N型，源、漏区为重掺杂的P+，沟道中载流子为空穴 按照工作模式分类 增强型：零栅压时不存在导电沟道 耗尽型：零栅压时存在导电沟道 MOSFET共有4种类型：NMOS增强型、NMOS耗尽型，PMOS增强型、PMOS耗尽型;MOSFET的分类（2）;VGS