段辉高-14-MEMS技术.pptx

MEMS技术;半导体制造工艺的应用;MEMS;MEMS;5;MEMS背景;为什么要MEMS？;8;9;传感器;MEMS技术;MEMS — 微小型、智能、集成、高可靠;MEMS技术的历史;MEMS技术;研究领域;研究领域;MEMS的多学科交叉性;MEMS的分类;MEMS的分类;MEMS的分类;MEMS制造工艺;;MEMS制造工艺;LIGA工艺;硅MEMS工艺;体硅工艺;表面牺牲层工艺;几种重要的MEMS器件;MEMS器件;加速度计 压阻式加速度计 电容式加速度计 压电式加速度计;惯性器件;电容式微加速度计;光学MEMS器件;传统的光传感器;发光器件 场发射（FEDs） 未来的显示设备(FPD);新器件——组件;各种光学元器件 透镜、波带片、滤波器、光栅及各种致动机构;微光学系统;微型显示阵列（光调制器）;DMD——应用;DMD——应用;光开关;  微机械2?2光开关 微机械2 ?2光开关;光纤固定结构;光栅及光栅光谱仪;;新器件——组件;弧形梳齿 原理 应用;静电;美国喷气推进实验室(JPL)展示的采用MEMS技术的电阻电热式微推进器样机（液体气化方式）。微推进器由薄膜加热器、微型喷口等组成。其性能目标为：比冲75～125s，推力0.5mN，功率 5W，效率≥50%，质量为几克，大小为1cm2。;美国喷气推进实验室(JPL)展示的采用MEMS技术的电阻电热式微推进器样机(固体升华方式)。微推进器由推进剂出贮箱、微阀、微过滤器、微型喷口等组成，微型喷口利用MEMS技术中的体硅工艺制作。其性能目标为：比冲50～75s，推力0.5mN，功率 2W/mN，质量为几克，大小为1cm2。;美国TRW公司、航空航天公司和加州理工学院（CIT）组成的研究小组提出了一个“数字推进概念”方案。硅片上有集成电路来开启和控制每个微推进器。整个推进系统还可充当卫星的散热器，以进一步减小卫星的有效载荷。制作方法可以用目前已成熟的MEMS及LIGA技术。图为他们于99年初发表了3×5阵列的电阻电热式微推进器样机。;新概念的微型双组元火箭发动机结构图;MEMS技术和DNA芯片;MEMS技术和DNA芯片;Memory-IBM Millipede;IBM Millipede;58;微型反应器;Smallest Guitar;打印机喷嘴;1 GHz NEMS Resonator;MEMS工艺简介;工艺的概念;MEMS的典型生产流程;集成电路： Integrated Circuit，缩写IC 通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能;MEMS与集成电路工艺的相同;MEMS工艺;MEMS与集成电路工艺的不同;MEMS与IC的比较;MEMS的基本概念及其特点 MEMS的发展概况 MEMS的应用领域 MEMS工艺的基本概念 MEMS工艺的国内外情况及发展趋势 ;MEMS工艺的国内外情况;;MEMS 器件的加工;LIGA;MEMS工艺的发展趋势;MEMS工艺的发展趋势; MEMS的制造技术主要包括两类技术：体微加工和表面微加工。这两类加工技术的基本材料都用硅，而加工工艺的基础都是集成电路制造技术。 1.表面微加工技术，来自金属膜的概念。在硅腐蚀的基础上，采用不同薄膜淀积腐蚀方法，在硅片表面形成不同形状的层状微结构。 2. LIGA技术 3.键合工艺，按界面材料的性质，可分为两大类：（1）硅/硅基片的直接键合工艺；（2）硅/硅基片的间接键合 ;体微加工;HF-HNO3和H2O（或CH3COOH 乙酸） 硅表面的阳极反应为Si+2h+ Si2+ h+表示空穴，即Si得到空穴后升至较高的氧化态 腐蚀液中的水解离发生下述反应： H2O=(OH)-+H+；Si+与(OH)-结合为： Si2+2(OH)- Si(OH)2 接着Si(OH)2放出H2并形成SiO2，即 Si(OH)2 SiO2+ H2 SiO2+6HF H2SiF6+2 H2O;KOH、H2O和（CH3）2CHOH（异丙醇，即IPA） 首先将硅氧化成含水的硅化合物 KOH+ H2O=K++2OH-+H+ Si+2OH-+4 H2O Si(OH)2- 然后与异丙醇反应，形成可溶解的硅 络合物不断离开硅的表面; 硅无论是在HF-HNO3腐蚀系统中，