电子能量对收集极中电子束能量沉积的影响.pdfVIP

第28卷第3期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．28，NO．3 ANDPARTICLEBEAMS Mar．，2016 2016年3月 HIGHPOWERLASER 电子能量对收集极中电子束能量沉积的影响+ 梁玉钦， 邵 浩， 孙 钧， 霍少飞， 白现臣， 张晓微 (西北核技术研究所，高功率微波技术重点实验室，西安7i0024) 摘 要： 理论分析了收集极中运动电子的失能机制和电子能量对电子束能量沉积的影响，用蒙特卡罗方 法计算了不同能量下人射电子的能量沉积分布，分析了电子能量对电子束在收集极中能量沉积的影响，并据此 提出了提高收集极耐电子束轰击能力的两种途径。结果表明：激发和电离是收集极中入射电子的主要失能机 制；电子的能量越高，在材料中的穿透能力越强，收集极中被收集电子束的最大能量沉积密度越低。综合考虑 束流密度分布对能量沉积的影响，可通过两种途径来提高收集极耐电子束轰击的能力：一是通过结构设计增大 电子束的收集面积，减小收集极上被收集电子束的束流密度；二是设计高阻抗器件，增大被收集电子束的电子 能量，减小收集极上被收集电子束的束流密度。 关键词： 电子束收集极； 能量沉积； 电子能量；影响； 蒙特卡罗；性能优化 中图分类号：TNl28 文献标志码： A doi：lO．11884／HPLPB201628．033025 强流相对论电子束收集极是高功率微波(HPM)产生器件的关键部分之一，用来收集经束波作用释放能量 后的电子束。由于HPM器件的工作特性，被收集的电子束具有“相对论”和“强流”两个鲜明特点[1]。随着 HPM技术的发展，单一器件的产生功率越来越高，收集极上被收集电子束的能量密度也不断增大，电子束轰 击引起收集极温度过高，易造成收集极的烧蚀破坏并对微波的产生和传输造成恶劣影响，成为迫切需要解决的 问题。在工程化HPM系统中，电子束收集极的可靠性是影响系统长时间稳定运行的最主要因素，也是系统设 计的重点与难点之一。在常规微波器件电子束收集极的研究中，常把电子束热源处理成面热流密度施加到收 集极上，进而开展收集极的热分析，而忽略电子束在收集极中的具体的能量分布∽q]。在电子束收集极热过程 的研究中，热源的处理主要考虑电子穿透深度和材料热场特征深度的相对大小[5]。常规器件的收集极中，电子 的穿透深度远小于热特征深度，将电子束施加功率处理成面热源并不会引起温度计算结果的较大偏差。但在 HPM产生器件中，单电子的能量较高，电子的穿透深度远大于收集极材料的热特征深度，电子束在收集极中 的能量沉积具有体分布的特点，不同位置处的能量沉积密度具有较大差别H]，对收集极的温度变化过程有较大 影响。因此，在HPM器件电子束收集极的研究中，研究电子束在收集极的能量沉积很有必要。为解决电子束 收集极的工程应用问题，需要针对电子束收集时的产热、传热以及收集极材料和结构响应等过程进行研究，而 获取收集极中电子束的能量沉积分布是先决条件，主要通过仿真计算实现。本文通过理论分析和数值模拟，研 究了电子能量对电子束在收集极中能量沉积的影响，并据此提出了提高收集极耐电子束轰击能力的两种途径。 1 理论分析 电子入射到材料内部，主要的能量损失机制为碰撞能量损失和辐射能量损失。当入射电子与原子核外束 缚电子发生非弹性碰撞时，引起核外束缚电子的激发或电离，其能量损失一般称为碰撞能量损失；当人射电子 与原子核发生非弹性碰撞时，电子的入射方向发生较大偏转，部分能量转化为能谱连续分布的光子辐射出来， 即轫致辐射。对于低能电子，碰撞损失是主要的，对于高能电子，辐射损失是主要的，单位路径上两种机制的能 量损失近似有如下的比例关系口1 ，dE、 ，，dE、800 ，．、 oi’吲／‘i’刊≈质云可面 ‘1) 式中：E为人射电子的能量；5为电子通过的路径；Z为原子序数；下标col和rad分别代表碰撞损失和辐射损 失。在HPM产生器件中，被收集极收集的电子的能量一般为几百keV，