粉体合成方法对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响.pdfVIP

粉体合成方法对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响.pdf

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第50卷第4期 西 安 交 通 大 学 学 报 V01.50No.4 OFXI’AN UNIVERSITY 2016年4月 JOURNALJIAOTONG Apr.2016 604018 DOI:10.7652/xjtuxb201 粉体合成方法对CaCu3Ti4012陶瓷介电性能的影响 高璐,李建英,贾然,侯林林,武康宁,李盛涛 (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,710049,西安) 摘要:为了深入研究粉体合成方法对CaCu。Ti。0,。(CCTO)陶瓷介电松弛机理以及缺陷结构的影 响,对比了固相反应法和溶胶凝胶法合成CCTO陶瓷的介电性能,并且在此基础上引入了CCT0 h 陶瓷的缺陷结构分析。采用固相反应法和溶胶凝胶法合成了CCT0粉体,在1080℃下烧结4 制备了CCTO陶瓷样品。溶胶凝胶法合成陶瓷的平均晶粒尺寸是固相法合成陶瓷试样的5倍。 -,一E特性和介电性能分析表明,溶胶凝胶法合成陶瓷的击穿场强(170V/cm)远小于固相法合成陶 瓷(4980 V/cm),且前者的介电损耗和介电常数均达到后者的20倍左右。结合介电损耗因子的曲 线拟合结果和阻抗谱分析得到,溶胶凝胶法合成陶瓷的晶界电阻为0。272MQ,是固相法(1.03 MQ)的1/3,松弛峰强度是固相法的15倍;两种陶瓷样品的本征松弛峰活化能和晶粒活化能均接 近,说明粉体合成方法能够影响CCT0陶瓷的晶界电阻和松弛峰强度,进而影响其宏观电性能,但 是对陶瓷的本征松弛机理没有影响。 关键词:CaCu。Ti40lz陶瓷;粉体合成;介电性能;晶界电阻;缺陷结构 中图分类号:TM281文献标志码:A 文章编号:0253—987X(2016)04一0117一07 EffectsofPowder MethodonDielectric of Synthesis Properties Ceramics CaCu3Ti4012 GAO Lu,LI Ran,HOULinlin,WU Jianying,JIA Kangning,LIShengtao ofElectricalInsulationandPower 710049,China) (StateLaboratory Equipment,Xi’anJiaotongUniversity,Xi’an Key the of methodsondielectricrelaxation effects Abstract:Toinvestigate powdersynthesis anddefectstructureof kindsofCCTOceramics mechanism CaCu3Ti4012(CCTO)ceramics,two were wereobtainedsolid—state and powders by processsol—gelprocess. synthesized.CCTO CCTOceramic were

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