退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响.pdfVIP

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2017-08-20 发布于北京
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退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响.pdf

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第35卷第3期红外与毫米波学报 V01．35．No．3 2016年6月 J．In＆aredMillim．Waves June．2016 文章编号：100l一9014(2016)03一0287—07 退火对Mn．Co．Ni．O 薄膜器件性能的影响张飞，欧阳程，周炜，吴敬，高艳卿，黄志明 (中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083) 摘要：采用磁控溅射法制备了厚度为6．5“m的Mn。．，，Co。，，Ni叭。0。组分的薄膜材料，把材料分别在400℃，500℃， 600℃，700℃，800℃下进行后退火处理．结果表明，室温下的负电阻温度系数口：，，值随退火温度增加先增大后减小，而电阻率p：，，则是随退火温度增加逐渐减小的；在相同频率下，500℃退火样品的归一化噪声谱密度(s，·％／俨) 最小，700℃退火样品的归一化噪声谱密度最大．退火温度越高会造成越多的晶体缺陷，从而降低有效导热系数、增大时间常数下和器件噪声．关键词：Mn。，，co。，，Ni0：。0。薄膜；器件性能；退火温度；探测率；响应率中图分类号：TN21文献标识码：A emctonthe of Mn-Co—Ni-O6Imdetector A衄ealing properties zHANG0UYANG zHOU WU HUANG Fei， Cheng， Wei， Jing，GAOYan-Qing，zhi—Ming forInfhred of InstituteTechnical (Na“onalLaboratory Physics，Shanghai Physics， Chinese of AcademySciences，Shanghai200083，China) filmsof witIlathicknessof were AbStr觚t：TllinMnl me 95Coo77Nio2804 6．5¨m prep盯edby magne— memod at tron annealed of sputtering temperatures The coefficientof ttlefilmsatmom increa— negatiVetemperature resistiVity(NTCR)oftemperature a295 ses thendecreaseswith ofme firstly，and the黟owingannealingtemperatllre．HoweVer，theresistiVity nlmsatroom witlltlle temperamrep295keepsdecreasinggmwingann