温度对GaN（0001）表面吸附生长TiO2分子的影响.pdfVIP

下载本文档

4
0
约4.45万字
约 6页
2017-08-20 发布于北京
举报
版权申诉

温度对GaN（0001）表面吸附生长TiO2分子的影响.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

年第期( )卷１０１２８２０１６１０４７文章编号: ( ) １００１-９７３１２０１６１０-１０１２８-０６ ( ) 分子的影响∗ 温度对GaN ０００１表面吸附生长TiO２１１２１ , , , 梁晓琴周金君黄平杨春 ( , ; , ) １．四川师范大学化学与材料科学学院成都６１００６８２．四川师范大学物理与电子工程学院成都６１００６８ : , , , , 摘要采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法模拟了在和种温度下３００４００５００６００７００ ℃ ５ ( ) , 、、、 TiO２分子在 GaN ０００１表面吸附的动力学过程研究了吸附过程中系统能量动力学轨迹 Mulliken 布居分析 ( ) . , 分子中两个原子与表表面成键电子密度分布 ELF 以及扩散系数等性质结果表明温度会影响 TiO２ O GaN 面两个原子成键顺序; 时 — 成键的时间最早, 在 ( )表面吸附生长的速率最快. Ga ５００ ℃ O２ Ga３ TiO２ GaN ０００１ , 下分子在物理吸附阶段的扩散系数比在５００ ℃下扩大了接近１００倍５００时 — 的局域电荷６００ ℃ TiO２ ℃ O Ga１ , — . , ( ) 分布值最大为说明下键共价性最强由此可见分子在吸附生长 ELF ０．７５０５００ ℃ O Ga１ TiO２ GaN ０００１最佳温度是５００ ℃. : ; ( ); ; ; 关键词 TiO GaN ０００１２温度动力学吸附中图分类号: ; 文献标识码: : / O４８４ TB３８３ A DOI １０．３９６９．issn．１００１-９７３１．２０１６．１０．０２３j .