N沟道SiC功率MOSFETCGE1M065022.PDF

N 沟道SiC 功率MOSFET CGE1M065022 特点 VDS 650V ID 92A 低导通电阻下的高阻断电压 高速开关特性 RDS(on) 22mΩ 低的开关损耗 TO-247 Package 低反向快速恢复二极管特性 优点 高的系统效率 低的冷却需求 高的功率密度 更高的系统开关频率 1. 栅极 2. 漏极 3. 源级 应用 2 新能源 开关电源 1 高压DC/DC 转换器 电机驱动 3 光伏逆变器 最大额定值(除非另外说明，否则Ta = 25℃) 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDSS 650 V Tc=25℃ ID*1 92 A 漏极电流 Tc=100℃ ID*1 66 A 脉冲漏极电流 ID,pluse*2 232 A 栅源电压 VGSS -4~22 V 工作结温 Tj 175 ℃ 存储温度范围 Tstg -55~+175 ℃ N 沟道SiC 功率MOSFET CGE1M065022 电气特性(除非另外说明，否则Ta = 25℃) 静态特性 值 参数 符号 单位 测试条件 最小值 典型值 最大值 漏源击穿电压 V 650 - - V V =0V, I =1mA (BR)DSS GS D 栅极阈值电压 V 2.7 - 5.6 V V =