三元氮化物能带结构之模拟与分析.PDFVIP

三元氮化物能帶結構之模擬與分析 + * 林文偉 、郭艷光 + * (研究生，副教授) 國立彰化師範大學物理研究所 E-mail: ykuo@cc.ncue.edu.tw 摘 要 三五族氮化物半導體在最近已被廣泛的研究，並且應用在可見光與紫外線的發光元件上。但 是 ，到目前為止氮化鋁鎵銦相關的物理卻仍有相當的研究空間 ，其中，與發光波長直接關聯的材 料能帶間隙，以及其對應的彎曲係數，更是眾說紛紜莫衷一是。因此 ，我們使用國科會高速電腦 中心所提供的CASTEP模擬軟體 ，來研究各種三元氮化物的能帶結構 ，並且探討其對應之彎曲係 數值。由於目前大多數氮化鋁鎵銦發光二極體以及雷射二極體都是在藍寶石基板上磊晶，本文主 要探討的對象為wurtzite結構的In Ga N 、Al Ga N 、與Al In N ，模擬結果顯示這三種三元氮化 x 1-x x 1-x x 1-x 物對應之彎曲係數值分別為1.210 eV 、0.353 eV 、與3.326 eV 。 相當程度的重視，但是自從日本的日亞(Nichia)公 一、前言 司發表高亮度的氮化銦鎵藍綠光發光二極體與雷 彩色的發光二極體與短波長的雷射二極體在 射二極體以來，氮化銦鎵半導體元件由於性能遠勝 全彩顯示、光資訊儲存、以及其它眾多與民生相關 於其它競爭者，顯然已經成為學術界與產業界研究 的領域都有極為重要的應用。最近幾年，磷化鋁鎵 的主流。無疑地，繼磷化鋁鎵銦紅黃光半導體元件 銦(AlG aInP)半導體元件為全球的光電半導體產業 之後，氮化銦鎵藍綠光半導體元件又將帶來另一波 帶來不少商機。磷化鋁鎵銦可以很有效率地發出鮮 彩色革命。 艷的紅光、黃光乃至於黃綠光，使它在發光二極體 雖然氮化銦鎵半導體元件的磊晶與製程已經 與雷射光筆兩個領域大放異彩。隨後研究人員開始 越來越成熟，但是到目前為止氮化鋁鎵銦相關的物 將重點放在難度較高、新近崛起的氮化銦鎵(InGaN) 理卻仍有相當的研究空間，其中，與發光波長直接 藍綠光半導體元件上。除了在數位多功能光碟 關聯的材料能帶間隙與對應之彎曲係數(bowing (DVD)系統的廣大應用之外 ，藍綠光半導體元件另 parameter) ，雖然國內外有不少學者與研究機構以 一個廣受重視的原因是，藍光與綠光，加上已經發 實驗或理論計算的方法進行研究，但是眾說紛紜莫 展成熟的紅光，便可以湊齊可見光的三原色，全彩 衷一是。因此，在本文中我們使用國科會高速電腦 顯示的理想因此得以實現。雖然在過去數年間，第 中心所提供的CASTEP模擬軟體 ，來研究各種三元 四族的碳矽(SiC)化合物 、二六族的硒化鋅(ZnSe)、 氮化物的能帶結構，並且探討其對應之彎曲係數 與三五族的氮化銦鎵等藍綠光半導體元件均受到 ■ 471 ■ 物理雙月刊（廿四卷三期）2002 年6 月 值，希望能做為此一領域研究人員與業界設計氮化 系統的總能量，以及各原子的受力。由於量子力學 銦鎵半導體元件時的參考。 足以精確地