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东芝推出1200V耐压SiC肖特基势垒二极管
东芝推出1200V耐压SiC肖特基势垒二极管
链接：/tech/72878.html
来源：日经BP社
东芝推出1200V耐压SiC肖特基势垒二极管
东芝于2015年1月27日推出了耐压高达+1200V、采用SiC（碳化硅）材料制造的肖特基势垒二极管“TRS20J120C”。
该公司介绍称，“通过采用SiC材料，可将采用Si（硅）材料时最高只有+200V的肖特基势垒二极管的耐压提高到+120
0V”。
新产品可以用于交流（AC）400V的高压线等。关于具体用途，东芝列举了开关电源的功率因数校正（PFC）电路
、DC-DC转换器、光伏发电用逆变器装置、不间断电源（UPS）以及车用无线供电装置等。
TRS20J120C的元件构造并非普通的肖特基势垒二极管（SBD）的构造，而是采用了结势垒肖特基（JBS）构造。没
有直接接合金属和n沟道半导体，而是经由p沟道半导体将二者接合。东芝介绍说，“与SBD构造相比，采用JBS构造
可削减漏电流，因此在高压和大电流条件下也能稳定工作”。
新产品的反向重复峰值电压（VRRM）为+1200V。最大正向电流（IF）在直流（DC）时为20A，脉冲时为310A。电
流平方时间积（I2t）为112.5A2s。峰值正向电压（VFM）为1.7V（正向电流为20A时的最大值）。反向重复峰值电流
（IRRM）为90μA（最大值）。结电容为105pF（标称值）。封装采用TO-3P(N)。最高结温可保证+175℃。价格未公
布。（特约撰稿人：山下 胜己）
原文地址：/tech/72878.html
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