二极体的整流作用.PDF

二極體的整流作用 參見：PN 結 各種二極體，下方為橋式整流器 半導體二極體的電流－電壓特性曲線。電壓在正的區域稱為順向偏壓。 二極體具有陽極 （anode ）和陰極 （Cathode ）兩個端子（這些用語是來自於真空管）， 電流只能往單一方向流動。也就是說，電流可以從陽極流向陰極，不能從陰極流向陽極 (單向性) 。這種特性就被稱之為整流作用。在真空管內，藉由電極之間加上的電壓能夠 讓熱電子從陰極到達陽極，因而有整流的作用。 半導體二極體中，有利用P 型和N 型兩種半導體接合面的PN 結效應，也有利用金屬與 半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN 結型的二極體，在P 型側 就是陽極，N 型側則是陰極。 [編輯] 二極體的基本運作 這裡針對半導體二極體的運作原理，選擇基本的PN 結（PN 接面）型二極體作為例子， 簡單地說明其特性。讀者若是想了解真空管二極體的運作原理，請參閱真空管的條目。 [編輯] 基本構造和熱平衡狀態 半導體的pn 接合面和能階結構的示意圖 PN 結（PN 接面）二極體是N 型半導體和P 型半導體互相結合所構成。PN 結(PN 接面) 區彼此的電子和電洞或者空穴相互抵銷，造成主要載流子不足，形成空乏層。在空乏層 內N 型側帶正電，P 型側帶負電，因此內部產生一個靜電場，空乏層的兩端存在電位差。 但是如果讓兩端的載流子再結合的話，兩端的電壓差則會變成零。 [編輯] 整流動作 [編輯] 正向偏壓（Forward Bias ） 正向偏壓時的PN 結二極體 二極體的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為順 向偏壓。如此N 型半導體被注入電子 ，P 型半導體被注入電洞。這樣一來，讓多數載流 子過剩，空乏層縮小、消滅，正負載流子在PN 接合部附近結合並消滅。整體來看，電 子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區域，電流隨著偏壓的增加也 急遽地增加。伴隨著電子與電洞的再結合，兩者所帶有的能量轉變為熱（和光）的形式 被放出。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極體兩端的 電壓稱為正向壓降。 [編輯] 反向偏壓（Reverse Bias ） 反向偏壓時的PN 結二極體 在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下， 因為N 型區域被注入電洞，P 型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足， 因此結合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴 散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱「PN 接面」條目。 實際的元件雖然處於反向偏壓狀態，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。 當反向偏壓持續增加時，還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰 ，發生急遽的電流增加。 開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓或崩潰電壓。超過擊穿電壓以後 反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區 （崩潰區）。在擊穿區內，電流在較大的範圍內 變化而二極體反向壓降變化較小。穩壓二極體就利用這個區域的動作特性而製成，可以 作為電壓源使用。 [編輯] 接面電壓 當二極體的P-N 接面處於正向偏壓時，必須有相當的電壓被用來貫通空乏區，導致形成 一反向的電壓源，此電壓源的電壓值就稱為接面電壓，矽半導體的接面電壓約0.6V～ 0.7V ，鍺半導體的約0.3～0.4V [編輯] 二極體的種類  PN 接面二極體（PN Diode ） 利用半導體中PN 接合的整流性質，是最基本的半導體二極體。細節請參照PN 接面的條目。  蕭特基二極體 （Schottky Barrier Diode ） 利用金屬和半導體二者的接合面的蕭基特效應的整流作用。由於順向的切入電 壓較低，導通回復時間也短，適合用於高頻率的整流。一般而言漏電流較多， 突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。  穩壓二極體（Reference Diode ）（常用稱法：齊納二極體(Zener Diode) ） 被施加反方向電壓的場合，超過特定電壓時發生的反向擊穿電壓隨反向電流變 化很小，具有一定的電壓穩定能力。利用此性質做成的元件被用於電壓基準。 藉由摻雜物的種類、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）。其正向特性與一般的 二極體相同。  恆流二極體（或稱定電流二極體，CRD 、Current Regulative Dio