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电子器件类发明技术交底书提纲 本提纲适用于电子管、半导体、放大器、滤波器等电子器件领域。 技术交底书是代理人撰写专利申请文件的依据，其要针对某一发明创造（以下简称发明）主题，说清楚别人是怎么做的？别人做的有什么缺陷？我要做什么？我是怎么做的？我做的关键点在哪里？我做的有哪些优点？ 1、本发明的名称 2、背景技术的方案技术 【示例2】一种薄膜半导体衬底晶化方法技术的方案与发明最接近的技术发明技术可以常识到目前为，以高频滤器为首的具备振体的高频电路元件是通信系统中不可缺少的基本要素。此外，振体中，若使用高介电常数且低损的陶瓷材料作介电体，便能实现小型低损(高Q)振器之作用的高频电路元件。 作为提高半导体薄膜特性的措施，例如，可以考虑将半导体薄膜的结晶性制得更接近于单晶。实际上，如果绝缘衬底上的整个半导体薄膜可以制成单晶，那么可以得到基本上等同于使用SO衬底的器件的特性，而这种器件被认为是下一代的LSI。最初在十几年前作为3D器件的研究项目进行了这种尝试，但是将整个半导体薄膜制成单晶的技术仍然需要完善。在现有技术中，现己提出了在非晶半导体薄膜的晶化过程中将单晶半导体晶粒生长为大尺寸的技术(例如，参见非专利文献2: (日本表面科学学会学报)Journal of the Surface Science Society of Japan， 21 卷，第5期， 278-287页)。非专利文献2公开了相调制受激准分子激光晶化法，其中由移相器空间地强度调制的受激准分子激光束施加到非晶硅薄膜，由此将非晶硅薄膜熔化并再结晶为多晶硅薄膜然而，上述现有的在基板上设置介电部件的高频电路，有以下问题 首先，因为使用时不遮蔽介电部，故从介电部射高频信号(电磁波)。因此，振器的损增加。亦即，谐振Q值会下降。此外，发射出的电磁波与基板上其他电路，会导致电路工作的不稳定。再者，为了抑制发射出的电磁波与其他电路，必须将介电部件与其他电路相隔一定距离，这就妨碍整个模块小型化。高频电路中的高频信号的频率越高，以上问题就越明显，在毫等中会造成致命的问题。此外，TE 模式谐振器中，谐振电场分布在圆筒形的介电部件内部主同心圆状旋转，很难得到理想的与配置在基板上的带状线等的。 然而，如非专利文献2中介绍的大尺寸的单晶硅晶粒为由无数个小尺寸单晶硅晶粒的多晶硅或非晶硅环绕。如果形成的薄膜晶体管不具有大尺寸的单晶硅晶粒，那么薄膜晶体管的电特性将显著降低。如果这种薄膜晶体管包含在如平板显示器的产品中，那么显示器将有缺陷。本发明的目的在于提供一种介电部且损的高频电路元与高频电路模块。本发明的目的是提供一种薄膜半导体衬底的晶化方法用于薄膜半导体衬底晶化的装置如电阻、电容、电感、电子管、半导体等器件产品整流部件、放大部件。本发明的高频电路元件，包括可产生电磁波的共振状态的至少一个介电部件包圈上述介电部件周围的遮蔽导体具有与上述介电部件的一部分面对面的布置着的带状导体、与该带状导体面对面的地导体层、以及介于带状导体接地导体层之间的介电体层的至少一根传输线连接在上述传输线上，在与上述介电部件之间起电磁波的输入耦合作用或输出耦合作用的探针。 这样来，因介电部件被遮蔽导体包围起来，故不仅了从介电射到外部的电磁波，从传输线的结构来看，在高频电路内与其他半导体器件间的连接也较圆滑。，以往由波导管等实现的功能由电路基板得以实现。因此，实现了损小，布置有高频电路元件的整个高频电路的尺寸小型化。 上述介电部件以TM模式所激励，而在TM模式共振器中因电场朝向介电部件的长边方向，故很容易实现与传输线的带状导体的耦合。结果，输出入可使用具有带状导体的传输线，将传输线和高频电路布置在共同的基板上以后，而很容易应用到模块结构的高频电路上。 上述传输线，最好包括带状线、微带线、共面线以及微细导线中之至少一种。 还包括在上述遮蔽导体内部，填满上述遮蔽导体和上述介电体之间的隙并支撑上述介电部件的绝缘层。由此，介电部件的共振状态稳定化。 上述遮蔽导体，由形成在上述绝缘层外表面的导体覆盖膜构成，上述带状导体，以与上述遮蔽导体分离的方式由上述导体覆盖膜形成，上述导体覆盖膜中与上述带状导体面对面的那一部分起上述接地导体层的作用。根据本发明的第一方案，提供一种薄膜半导体衬底，其中包括绝 缘衬底、在绝缘衬底上形成的非晶半导体薄膜、以及位于半导体薄膜 上并指示晶化的参考位置的多个对准标记。 根据本发明的第二方案，提供一种薄膜半导体衬底的制造方法， 其中包括在绝缘衬底上形成非晶半导体薄膜:以及在半导体薄膜上提 供多个对准标记，该对准标记指示晶化的参考位置。 根据本发明的第三方案，提供一种晶化方法，其中包括形成具有绝缘衬底的薄膜半导体衬底、在绝缘衬底上形成的非晶半导体薄膜、以及位于半导体薄膜上并指示晶化的参考位置的多个对准标记以