半导体二极管和三极管.ppt.PPT

iD o uD 20 40 60 80 100 (mA) (v) -40 -80 -0.1 -0.2 0.4 0.8 ~ iD o uD -200 -100 20 40 60 80 100 -10 -30 -20 75℃ 20℃ (mA) (v) (μA) 1 2 几十 0.2~0.5 ≈0.1 锗（Ge） 0.1 0.6~1 ≈0.5 硅（Si） 反向饱和电流（μA） 导通电压（V） 开启电压（V） 材料 二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时， 正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。 为简化分析计算，在一定的条件下可以近似用某些线性电路来等效实际的二极管。 （一）理想二极管等效电路 当外加正向电压时，二极 管导通，正向压降uD=0, 相当于开关闭合； iD uD 0 D 特性曲线的近似 等效电路 当外加反向电压时，二极管截止，反向电流IR=0，相当于开关断开。 (二）考虑正向压降的等效电路 D K UD 在二极管充分导通且工作电流不是很大时，可以近似认为UD为常数，用一个直流电压源UD来等效正向导通的二极管。 当外加正向电压大于UD时，二极管导通， 开关闭合，二极管两端压降为UD；当外加 电压小于UD时，二极管截止，开关断开。 特性曲线的近似 等效电路 iD uD UD 0 （三）小信号模型（微变模型） Q i u uD iD V-A特性 Q 为静态工作点 + ui - + uo - 实际电路 RL rd RL + ui - + uo - 微变等效电路 在模拟电路里面，二极管多数工作在小信号状态。 也即工作在某个很小的各种区域。所以通常用小信号 模型来代替二极管。即把二极管看成一个等效电阻。 其电阻值 rd 为： 设 id 对 ud 求微分，则有： 小信号模型（微变模型） 又因为 rd 15.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR，反向工作峰值电压URWM 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的反向工作峰值电压URWM一般是UBR的一半。 3. 反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降≈0.6V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例 例15.1：二极管半波整流 例15.2：分析uR、uC的波形 t t t ui uR uo R RL ui uR uo 例15.3 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之间的电压ＵAB值。 V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 (a) V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 (b) 解：判断电路中二极管导通的方法： 假定电路即将导通，判断电路中各二极管上的压降。压降高的管子优先导通。 对于图 a，在电路即将导通时，D1、D2上的正偏电压分别为10V，－5V。 D2反偏电压为15V D1导通 ＵAB =0V D2截止 V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 (a) 对于图 b，在电路即将导通时， 即 D1上的反偏电压为15V D2优先导通 ＵAB =－15V D1截止 D1、D2上的正偏电压分别为: 10V，25V D2优先导通后 V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 (b) U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 §15.4 稳压二极管 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL