化学气相沉积（CVD）.PPT

第三章 经典合成方法 3.1化学气相沉积法（CVD） CVD简史 古老原始形态：远古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层 中国古代的炼丹术(“升炼“)：早期的化学气相沉积技术。李时珍引用胡演《丹药秘诀》中从汞和硫作用生成硫化汞的一段论述是人类历史上对CVD技术迄今发现的最古老的文字记载。 胡演《丹药秘诀》中关于“银朱”（HgS）的升炼法的描述： “用石亭脂1000克在新锅中熔化，次下水银500克炒作青砂头，至不见水银星珠时研末罐盛，石板盖住，铁丝绊定，盐泥固济，大火煅之，待冷取出。贴罐者为银朱，贴口者为丹砂。” 20世纪60年代初，由美国学者John M. Blocher Jr.(” Sir CVD”) 首先提出CVD这一名称。 CVD 对原料、产物及反应类型的要求 反应物在室温下最好是气态，或在不太高温度就有相当的蒸汽压，且容易获得高纯品 能够形成所需要的材料沉积层，反应副产物均易挥发 沉积装置简单，操作方便。工艺上有良好的重现性，适于批量生产，成本低廉 原子/分子水平上化学合成材料－高度适应性和创新性 高纯度材料－基于CVD源可以通过气相过程得到高纯度的原料和产品 组成和结构可控性－制备工艺重现性 广泛的适应性与多用性 材料制备与器件制作的一致性 设备较简单、操作简易、易于实现自动控制 CVD的分类 3.1.1 CVD的化学反应体系－热解反应 氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一副产物是没有腐蚀性的氢气。 CVD的化学反应体系－热解反应 金属有机化合物：金属的烷基化合物，其M-C键能一般小于C-C键能[E(M-C)＜E(C-C)]，可用于淀积金属膜。元素的烷氧基化合物，由于E(M－O)＞E(O－C)，所以可用来沉积氧化物。 MOCVD 以金属有机化合物作为前驱物，前驱物经历分解或热解反应生成薄膜。适合制备单组分、多组分半导体材料、光电材料、氧化物、金属等薄膜材料。 特点： 降低沉积温度，减小高温对衬底及薄膜表面的破坏。 缺点： 前驱物价格昂贵，合成、提纯过程困难。 多数前驱物为挥发性液体，采用水浴、油浴或气体鼓泡的方式供给，需要精确控制压强。 对前驱物的要求高（挥发性、稳定性、分解）。 CVD的化学反应体系－热解反应 氢化物和金属有机化合物体系，已成功地制备出多种化合物半导体 CVD的化学反应体系－热解反应 其它气态配合物和复合物这一类化合物中的羰基化物和羰基氯化物多用于贵金属(铂族)和其它过渡金属的沉积。 CVD的化学反应体系－热解反应 单氨配合物已用于热解制备氮化物。 3.1.2 CVD反应体系－化学合成反应 化学合成反应，不受源的性质影响，适应性强. 化学合成反应示例-同一材料GaN有多种合成路线 从产业链的角度来看，上游原材料光纤预制棒、光纤、光缆的利润比例大约是7:2:1，因此，预制棒厂商拿走了整个行业70%的利润，在产业链中占优势地位。按统计的2006年底全球光纤预制棒产能计算，全球光纤预制棒产能约为18000万芯公里，日本信越、美国康宁是第一梯队，产能为1000吨，德拉克、日本住友、藤仓、古河、中国长飞属于第二阵营，产能为500-700吨不等。 举例：石英光纤预制棒的制法  课本第50-51页 3.1.3 CVD反应体系－化学输运反应 把所需要的沉积物作为源物质,借助于适当气体介质与之反应而形成一种气态化合物，这种气态化合物经化学迁移或物理载带(用载气)输运到与源区温度不同的沉积区，再发生逆向反应，使得源物质重新沉积出来，这样的反应过程称为化学输运反应。 上述气体介质叫做输运剂，所形成的气态化合物叫输运形式。 CVD反应体系－化学输运反应 在源区(温度为T2)发生输运反应(向右进行)，源物质ZnS与I2作用生成气态的ZnI2；在沉积区(温度为T1)则发生沉积反应(向左进行)，ZnS重新沉积出来。 CVD反应器技术 CVD装置设计包括： 1）源物质（前躯物）的供应、调节系统（载气、阀门、气路、源区、流量调节等） 2）反应器（构型、尺寸、衬底支撑体、加热和附加能量方式等）设计 3）尾气排除或真空产生系统 4）自动控制系统 激光CVD （laser-assisted CVD ） 利用各种激光作为能量供给方式，衬底吸收光能而被加热，反应剂气体或者吸收光能在气相中就发生热分解，或者直接在热衬底表面发生非均相化学反应沉积薄膜。与传统CVD不同，激光CVD需要一个窗口来引导光波。与一般性的采用卤钨灯加热衬底或者采用光波加热前驱物使之挥发的CVD技术不同，激光CVD通过光热或者光解的机制进行化学反应的。 特点： 可以进行选择性的区域沉积。尤其是制备亚微米尺度的薄膜器件； 更容易控制薄膜的微结构和性质。 激光很窄的