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常用半导体元件.doc
第8章常用半导体元件
二极管
【教学目标】
知道PN结的单向导电性。描述二极管的电压、电流关系。解释主要参数。
【教学重点】
1.二极管的电压、电流关系。
2.二极管的主要参数。
【教学难点】
二极管的电压、电流关系。
【教学过程】
【一、复习】
线性电阻和非线性电阻的电压、电流特性。
【二、引入新课】
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物体。但半导体之所以得到广泛应用,是因为它的导电能力会随温度、光照及所掺杂质不同而显著变化。特别是掺杂可以改变半导体的导电能力和导电类型,这是今天能用半导体材料制造各种器件及集成电路的基本依据。
二极管就是由半导体制成的。半导体按所用半导体材料可分为硅二极管和锗二极管;按内部结构可分为点接触型和面接触型二极管;按用途分类可分为普通二极管、稳压二极管、发光二极管、变容二极管等,通常所说的二极管是指普通二极管。
【三、讲授新课】
8.1.1 二极管的外形、结构与符号
二极管的外形、内部结构示意图和符号如图8.1所示。
(a)外形 (b)内部 (c)符号
图8.1 二极管
二极管的阳极引脚由P型半导体一侧引出,对应二极管符号中三角形底边一端。
二极管的阴极引脚由N型半导体一侧引出,对应二极管符号中短竖线一端。
强调指出:符号形象地表示了二极管电流流动的方向,即电流只能从阳极流向阴极,而不允许反方向流动。
8.1.2 二极管的电流、电压关系
1.正向偏置与导通状态
二极管正向电流、电压关系实验电路如图8.2(a)所示,二极管阳极接高电位,阴极接低电位,二极管正向偏置。
此时调节串联在电路中的电阻大小,二极管表现出不同电压下具有不同的电阻值,记录每个电压下对应的电流值,从而描绘成曲线,即得到图8.2(b)所示的二极管正向电流、电压关系特性。
(1)二极管VD两端正向电压小于0.5 V时,电路中几乎没有电流,对应的电压称为二极管的死区电压或阈值电压(通常硅管约为0.5 V,锗管约为0.2 V)。
(2)二极管两端正向电压大于0.5 V后,电路中电流增加迅速。
(3)随着二极管电流增大,二极管VD两端电压维持在0.6 V ~ 0.7 V之间不再增加(硅管约为0.6 V~0.7 V,锗管约为0.2 V~0.3 V)。
(a) (b)
图8.2 二极管正向偏置导通与电流、电压的关系特性
2.反向偏置与截止状态
二极管的反向电流、电压关系实验电路如图8.3(a)所示,二极管阳极接低电位,阴极接高电位,二极管反向偏置。
此时调节串联在电路中的电阻大小,即使二极管两端反向电压较高时,电路中仍然几乎没有电流,当二极管两端反向电压达到足够大时(各种二极管数值不同),二极管会突然导通,并造成二极管的永久损坏。记录每个电压下对应的电流值,从而描绘成曲线,即得到图8.3(b)所示的二极管反向电流、电压关系特性。
(1)当反向电压不超过一定范围时,反向电流十分微小并随电压增加而基本不变。通常可以忽略不计。
(2)当反向电压增加到一定数值时,反向电流将急剧增加,称为反向击穿,此时的电压称为反向击穿电压。
(a) (b)
图8.3 二极管反向偏置截止与电流、电压关系特性
综上所述,二极管具有在正向电压导通,反向电压截止的特性,这个特性称为单向导电性。
二极管的“导通”与“截止”,可以用理想开关的“闭合”与“断开”来模拟,但应清楚它们之间的差异。二极管正向导通时,相当于开关闭合;二极管反向截止时,相当于开关断开。但是二极管又不能简单地用开关模拟,一是因为二极管的“开关”特性具有方向性,即是单向导通的,这是理想开关不具有的;二是正向导通的二极管两端存在一个压降,对硅管而言约0.6 V ~ 0.7 V;三是反向截止的二极管有反向漏电流存在,该电流因数值较小(μA数量级)常忽略不计。为此,用开关模拟二
极管可用教参图8.3电路示意。
教参图8.3 开关模拟二极管工作示意图
二极管的主要参数。
二极管的参数是选择和使用二极管的依据。主要参数有:
(1)最大整流电流IFM指二极管长期工作时,允许通过二极管的最大正向电流的平均值。
(2)最高反向工作电压URM指保证二极管不被击穿所允许施加的最大反向电压。
(3)反向电流IR指二极管加反向电压而未击穿时的反向电流,如果该值较大,是不能正常使用的。
【四、小结】
1.二极管对来自两个方向的电流呈现不同的性质,在外加电压足够大时(一般约0.3 V???0.6 V),电流只能从阳极(P型半导体一侧)流向阴极(N型半导体一侧),反方向是不能导通的。这个特性称为单向导电性。
2.二极管
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