工艺流程晶体的生长晶体切片成wafer 晶圆制作功能设计模块设计电路 ....PDF

工艺流程 晶体的生长 晶体切片成 wafer 晶圆制作 功能设计模块设计电路设计版图设计制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约 2um的 Al2O3和甘油混合液保护之 ,在制作前必须进行化 学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成 SiO2 缓冲层，用来减小后续中 Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化 Si(固 )+O2 SiO2(固 ) 湿法氧化 Si(固 )+2H2O SiO2(固 )+2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干 法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。 当 SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因 而，要形成较 厚的 SiO2膜，需要较长的氧化时间。 SiO2膜形成的速度取决于经扩散 穿过 SiO2膜到达硅表面的 O2及 OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于 OH 基在 SiO2膜中的扩散系数比 O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为 SiO2膜 厚的 0.44倍。因此，不同厚度的 SiO2膜，去除后的 Si表面的深度也不同。SiO2膜为 透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为 200nm，如果预告知道是几次 干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用 Si 的疏水性和 SiO2的亲水性来判断 SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和 Si界面能级密度和固定电荷密度可由 MOS二极管的电容特性求得。 (100)面的 Si的界面能级密度最低，约为 10E+10-- 10E+11/cm 2.eV-1 数量级。(100)面 时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3)CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层 Si3N4(HotCVD或 LPCVD)。 1 常压 CVD(NormalPressureCVD) NPCVD为最简单的 CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由 (1)输送反应气体至 反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4) 反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些 装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当 为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸 型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱 流的装置。 2 低压 CVD(LowPressureCVD) 此方法是以常压 CVD 为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要 特征： (1)由于反应室内压力减少至 10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩 散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少； (2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性 与处理能力 (因低气压下，基板容易均匀加热 )，因基可大量装荷而改善其生产性。 3 热 CVD(HotCVD)/(thermalCVD) 此方法生产性高，梯状敷层性佳 (不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气 体可到达表面而附着薄膜 )等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物 (MX) 及金属有机化合物 (MR)等在高温中气相化学反应 (热分解，氢还原、氧化、替换反应等 ) 在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄 膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜， 且附着强度极强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须 (短纤维 )等，故其应 用范围极广。热 CVD法也可分成常压和低压。低压 CVD适用于同时进行多片基片的处理， 压力一般控制在 0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用 HCVD法将 SiH4或 Si2H。气体热分解 （约 650oC）淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化 硅薄膜也是用低压 CVD法，利用氨和 SiH4 或 Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的 SiO2薄膜是用 SiH4和 O2在 400--4500