平面型2.6μmInGaAs红外探测器变温特性研究 - 激光与红外.PDF

第３９卷　 第６期 　 　 　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．３９，Ｎｏ．６ 　 ２００９年６月　 　 　　　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊｕｎｅ，２００９ 　　文章编号：１００１５０７８（２００９）０６０６１２０６ ·红外材料与器件 · 平面型２．６ｍＩｎＧａＡｓ红外探测器变温特性研究 μ １，２ １，２ １，２ １，２ １，２ １ １ 李永富 ，唐恒敬 ，张可峰 ，李　淘 ，宁锦华 ，李　雪 ，龚海梅 （１．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海２０００８３；２．中国科学院研究生院，北京 １０００３９） 摘　要：通过闭管扩散方式，在ＮＩＮ型ＩｎＰ／Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ＩｎＰ材料上制备了单元及八元平面型红 ０．８２ ０．１８ 外探测器件，研究了器件的光谱响应特性、变温电流－电压特性以及器件探测率的温度响应特性。 研究表明，不同温度下，在较低的偏压下，器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生－ 复合电流，随着电压增大，器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温（＞２５０Ｋ） 下，器件的反向电流主要以扩散电流和产生－复合电流为主，随着温度降低（＜１５８Ｋ），与偏 压成正比的隧穿电流将占优势。温度＞１５８Ｋ时，器件的ＲＡ值主要受产生－复合机制影响， ０ 温度＜１５８Ｋ时，ＲＡ值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低，器件的峰值探测率在 ０ ９ １／２ ９ １／２ ２１０Ｋ达到峰值，单元器件约１．７×１０ｃｍＨｚ／Ｗ，八元器件约９．４×１０ｃｍＨｚ／Ｗ。 关键词：ＩｎＧａＡｓ红外探测器；产生－复合电流；隧穿电流；暗电流；优值因子；峰值探测率 中图分类号：ＴＮ２１４　　　文献标识码：Ａ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｅｐｅｎｄｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｓｔｕｄｙｏｆ２．６ｍ μ ｐｌａｎａｒｔｙｐｅＩｎＧａＡｓｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒ １，２ １，２ １，２ １，２ １，２ １ １ ＬＩＹｏｎｇｆｕ ，ＴＡＮＧＨｅｎｇｊｉｎｇ ，ＺＨＡＮＧＫｅｆｅｎｇ ，ＬＩＴａｏ ，ＮＩＮＧＪｉｎｈｕａ ，ＬＩＸｕｅ，ＧＯＮＧＨａｉｍｅｉ （１．ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓｏｆＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ， Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００８３，Ｃｈｉｎａ；２．ＧｒａｄｕａｔｅＳｃｈｏｏｌｏｆｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００３９，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｐｌａｎａｒｔｙｐｅｓｉｎｇｌｅｅｌｅｍｅｎｔａｌａｎｄｅｉｇｈｔｅｌｅｍｅｎｔａｌＩｎＧａＡｓ２．６ ｍｃｕｔｏｆｆｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｉｎｆ