布洛赫定理与波函数的形式1.2.2 半导体中电子的状态和能带.PPT

1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 节知识点 晶体中电子的共有化运动与能带的形成 单电子近似和周期性边界条件 晶体中电子运动遵循的薛定谔方程 布洛赫波函数：描述晶体中电子运动的波函数 定性描述E(k)~k关系的特点、布里渊区概念 半导体晶体中能带的形成特点 晶体中电子与自由电子运动状态的比较 1.3 节知识点 半导体能带极值附近的E(k)~k关系： 半导体中电子的平均速度计算式： 有效质量的定义： 有效质量的物理意义、能带结构对有效质量的影响 1.4 节知识点 能带中电子的导电机理（能量的传递） 用能带结构解释导体、半导体和绝缘体在导电性方面的差异 本征激发的概念、产生条件、特点；本征半导体的概念 空穴的概念与物理性质、空穴的作用 本征半导体的导电机构 作 业 课后第1题（35页） 1.5 节知识点 掌握硅、锗、砷化镓的导带顶和价带底附近的能带结构(E~k关系) 掌握常见半导体的室温禁带宽度 掌握直接带隙和间接带隙的区别 例 题 3.9 设Si晶体中导带底附近电子的纵向有效质量为ml，横向有效质量为mt 如外加电场沿[100]方向，试写出[100]和[001]方向导带底能谷中电子的加速度。 若外加电场沿[110]方向，试求[100]方向导带底能谷中电子的加速度与电场之间的夹角。 1.3.3 半导体中电子的加速度 若令 由此可见，引入有效质量mn*后，半导体中电子所受的外力与加速度的关系和牛顿第二运动定律相似，只是以半导体的有效质量替代电子的惯性质量。 仍按一维情况讨论，电子受外力f作用时，应有： 电子加速度定义为： 则 可见在外力f作用下，电子的波矢k不断改变 1.3.4 有效质量的物理意义——实际的作用 上述半导体中电子的运动规律公式都出现了有效质量mn*，原因在于f =mn*a中的 f 仅仅是半导体中电子所受外力的总和。 即使没有外力作用，实际半导体中电子也要受到格点原子和其它电子的作用。存在外力时，电子所受合力等于外力再加上原子核势场和其它电子势场力。 由于找出原子势场和其他电子势场力的具体形式非常困难，这部分势场的作用就由有效质量mn*加以概括，mn*有正有负正是反映了晶体内部势场的作用。 既然mn*概括了半导体内部势场作用，外力f与电子的加速度就通过mn*联系了起来而不必再涉及内部势场。 电子在外力 作用下运动 受到外电场力 f的作用 内部原子、 电子相互作用 内部势场作用 引入有效质量 外力f和电子的 加速度相联系 有效质量概括 内部势场作用 1.3.4 有效质量的物理意义——具体的描述 有效质量的物理意义在于：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 mn*可以直接由实验测定，因而可以很方便地解决电子的运动规律。 1.3.4 有效质量的物理意义——能带结构的影响 自由电子、晶体中电子E(k)~k，v~k和m~k关系 1.3.4 有效质量的物理意义——能带结构的影响 有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大： 内层电子的能带窄，有效质量大，在外力作用下不易运动。——内层电子受原子核束缚作用大！ 外层电子的能带宽，有效质量小，在外力作用下可获得较大的加速度。 ——外层电子受原子核束缚作用小！ 并不代表半导体中光电子的实际动量。一般称为半导体中电子的准动量。 能带中的电子如何导电？ 导体、半导体和绝缘体的导电机理？ 半导体的导电机构 一、能带中电子的导电作用 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 1、空带与满带中的电子不导电 以一维情况为例进行简单讨论： （1）、无外场： 能带被电子占满，电子在k空间对称分布——每一个k状态对应有一个-k状态。 根据： 有： 所有k态电子的速度与-k态电子的速度大小相等，方向相反，他们对电流的贡献相互抵消，晶体中无宏观电流。 满带中电子的分布 （2）、有外场： 所有k态电子与-k态电子对电流的贡献仍然可以相互抵消，晶体中无宏观电流。 重要结论：电子对电流是否有贡献，取决于能带中电子的分布 满带时，由于E(k)是以BZ长度为周期的函数，外场作用下，从k空间中BZ一侧跑出去的电子，又从另一侧进入该BZ——外电场不改变电子在k空间的对称分布 说明在外场作用下，电子的状态随时间不断改变，也即电子在k空间中“移动”。 外电场作用下，电子受力： 满带中电子的分布 2、不满带中的电子可以导电 无外场时，根据能量最低原理，并注意到E( k )是k的偶函数，电子在能带中的分布是对称的，没有宏观电流 有外电场时，能带中的全部电子空间的状态均要发生改变， 从而使得在能带中电子的分布变得不对称了。能带中就有一部分电子对电流的贡献将不可能被抵消，宏观上就