晶圆级晶片尺寸封装热疲勞寿命之电脑模拟分析.PDFVIP

科學與工程技術期刊 第三卷 第二期 民國九十六年 19 Journal of Science and Engineering Technology, Vol. 3, No. 2, pp. 19-25 (2007) 晶圓級晶片尺寸封裝熱疲勞壽命之電腦模擬分析 夏育群 逢甲大學航太與系統工程系 台中市 40724西屯區文華路 100號 摘 要 本文針對晶圓級晶片尺寸封裝在環境溫度循環負載下，利用有限元素分析軟體模擬熱與機 械行為。理論根據 Darveaux 所提出之能量法利用黏塑性應變能密度為疲勞壽命預測之破壞判定 依據，並藉此計算錫球的疲勞壽命與整體組件的可靠度。模型假設構裝體為全域建模，其數據 皆為 ANSYS 模擬分析加速熱循環後所呈現。結果顯示各元件間熱膨脹係數的差異，為造成構 裝體疲勞破壞的主要原因。就錫球部份而言，最大等效應力、應變皆發生在構裝體四周角落處， 也是最容易造成疲勞破壞的地方。此外本模擬方法亦用以分析一特殊覆晶組件，其結果與實驗 數據吻合。 關鍵詞 ：晶圓級晶片尺寸封裝，錫球可靠度，有限元素分析 Computer Simulation of the Thermal Fatigue Life of WLCSP YUI-CHUIN SHIAH Department of Aerospace Engineering and Systems Engineering, Feng Chia University No. 100 Wenhwa Rd., Seatwen, Taichung, Taiwan 40724, R.O.C. ABSTRACT This study focuses on the reliability of a wafer-level chip-scale package (WLCSP) subjected to cyclic temperatures. Finite element analysis (FEA) is used to simulate the thermal condition and mechanical behavior. According to the theory of an energy-based law proposed by Darveaux, the analysis adopts viscoplastic-strain energy density as the basic criterion for calculating the fatigue life of the entire package, considered as its reliability. This package is analyzed by using the software program ANSYS, wherein a whole