模拟电子技术基础_2.DOCVIP

题1-7 试判断图中二极管是导通还是截至? 并分别求出A，O两端电压。设二极管是理想器件。 题1-8 在如图所示限幅电路中，已知输入信号为，试画出输出电压的波形。设二极管为理想器件。 第二章 双极型三极管及其放大电路 一、本章的核心、重点及前后联系 （一）本章的核心 1、双极型三极管的电流控制作用 2、双极型三极管组成的放大电路 （二）本章的重点 1、双极型三极管的三个状态 2、要使三极管具有电流放大作用所必须提供的条件 3、双极型三极管的特性曲线 4、双极型三极管在三个状态下的特点 5、判断双极型三极管工作状态的解题思路 6、放大电路在电子系统中的位置 7、直流通路 8、交流通路 9、具有正常电压放大功能的放大电路的组成原则 10、NPN基本共射放大电路的图解分析 11、共射极放大电路的小信号模型分析法 12、放大电路的静态工作点稳定问题 13、放大电路的失真 14、为什么要研究放大电路的频率响应？ （三）本章前后联系 本章与第一章的关系不是特别紧密，只要了解前面讲过的PN结的特性即可，本章对放大电路的理解对第三章的学习有帮助。 二、本章的基本概念、难点及学习方法指导 （一）本章的基本概念 1、直流通路 2、交流通路 3、小信号 4、失真 5、频率响应 6、电压放大倍数 7、输入电阻 8、输出电阻 （二）本章难点及学习方法指导 1、双极型三极管的四种情况 双极型三极管有两个PN结，每个有正偏和反偏两种状态,组合起来，共有4种状态： 发射结正偏，集电结反偏：放大区，在模拟放大电路中使用。 发射结正偏，集电结正偏：饱和区 发射结反偏,，集电结反偏：截止区 饱和区、截止区在数字电路中使用 发射结反偏，集电结正偏：倒置状态，基本上没有什么用处。 2、双极型三极管应用有两个方面 一是在模拟电路中作为放大元件。 二是在数字电路中作为开关元件。 3、要使双极型三极管具有电流放大作用所必须提供的条件： 外部条件：外加直流电压源保证发射结正偏，集电结反偏。 内部条件：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 4、双极型三极管在三个状态下的特点 截止区： 三极管的三个电极所在的支路中的电流为0,任意两个极之间的电压是多少，决定于外电路，满足电路方程。 饱和区： NPN的uBE =0.7V, PNP的uBE =-0.2V，没有ß，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 放大区：NPN的uBE =0.7V, PNP的uBE =-0.2V， 有ß，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 5、判断三极管工作状态的解题思路： （1）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管的发射结电压，若发射结反偏或零偏或小于死区电压值，则三极管截止。若发射结正偏，则三极管可能处于放大状态或处于饱和状态，需要进一步判断。进入步骤（2）。 （2）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域，此时三极管既有饱和状态时的特征VCES =0.3V，又有放大状态时的特征IC=ßIB），求此时三极管的集电极临界饱和电流ICS ，进而求出基极临界饱和电流IBS 。集电极临界饱和电流ICS是三极管的集电极可能流过的最大电流。 （3）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中实际流动的电流iB。 （4）比较iB和IBS的大小： 若iB IBS（或者 ß iB ICS），则三极管处于饱和状态。 若iB IBS（或者 ß iB ICS），则三极管处于放大状态。 6、放大电路在电子系统中的位置 传感器输出的电信号非常小，计算机系统不能识别这些非常小的信号，所以必须用放大电路来放大，然后计算机系统才能进行处理。传感器输出的电信号是任意的交流信号，只有任意的交流信号才包含着信息，这个信号绝对不是正弦交流信号，否则就没必要对这一信号进行处理了。同时还要特别指出，在对放大电路的测试、做一些习题时，虽然在输入端都是标明所加信号为正弦交流信号，那只是放大电路的一种测试手段。有了这样的一种理解后，学生对后面要讲到的放大电路的线性失真的概念才能有一个透彻地理解。 7、放大电路中电压电流的表示符号 名称 静态值 交流分量 总电压或总电流的瞬时值 瞬时值 有效值 正弦有效值相量 基极电流 集电极电流 发射极电流 基－射极电压 集－射极电压 8、直流通路 定义：直流电流流通的路径。 直流通路的画法： 电容开路；电路中的电阻为其直流电阻，因为线性电阻的直流电阻与其阻值一样；三