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2017-06-15 发布于天津
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电可擦除存储器单元的模型3

　第 20 卷第 9 期半　导　体　学　报 . 20, . 9 V o l N o 　1999 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 1999 电可擦除存储器单元的模型洪志良　韩兴成　李兴仁　付志军　黄　震　束克留 ( 复旦大学电子工程系　上海　200433) 摘要　本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立 EEPROM 单元器件的等效电路的模型, 利用本模型对 EEPROM 单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟, 论文用实例验证了模型的正确性. : 1265 , 2560 , 2570 EEACC D B D 1　引言 [ 1 ] 尽管 Fow ler N o rdheim 隧道氧化层生长在 1969 年已有报道 , 但一直到 80 年代初期, [ 2 ] [ 3 ] EEPROM 的单元电学模型和 32K EEPROM 电路才开发和报道出来. 当时计算 EEP [ 4 ] ROM 单元在擦和写之后阈值变化的计算采用电容耦合比的方法 , 其简图如图 1 所示. 图 1 中CPP 是栅多晶到浮栅多晶之间的电容, C tun 是浮栅与漏极之间的电容, C Gox 是栅与衬底之间电容. 由图 1 所示模型计算出写时电压耦合比: CPP K w = ( 1) CPP + C Gox + C tun 和擦时耦合比: C tun K e = 1 - (2) CPP + C Gox + C tun 再由耦合的电压来计算隧道电流, 电荷积累和单元阈值的变化. 尽管图 1　早期 EEPROM 单这个模型在隧道击穿之后可以应用, 但是明显存在两个问题, 一是在元电荷存取等效电路 ( ) 隧道电流形成即隧道击穿之前无模型, 二是在隧道击穿后电荷积累和消减的瞬态过程也难与实际情况吻合. 本文将介绍一种完全采用了 CM O S 工艺已有模型的器件( )