矽基锗热光效应与调变器研究.PDFVIP

行 精 類 行 年年 行 立 參理林 理 理 理 理 理龍 理 利 年 年 一、前言 光連結技術[1]已成為全球光電研究之重要趨勢，近期最著名之技術為 Intel 之 Light Peak ，將取代原有使用金屬線之USB 架構。未來光連結也可使雲端運算、 高速電腦、網路通訊等效率提高，但此技術需有高效率、低成本之光調變器，故 本計畫致力於研究與矽製程相容之鍺熱光調變器。 二、研究目的 本計畫以研究鍺熱光調變器為目的，為達到高速且高效能之目標，必須縮減鍺之 體積、厚度，故本計畫開發絕緣層上覆薄層多晶鍺之材料，其製程可與絕緣層上 覆矽 (Silicon on Insulator-SOI)之晶圓相結合，未來可應用於光電元件上。 三、文獻探討 本實驗室於先前之計畫研究[2,3]中，已成功開發純鍺 (pure Ge)之熱光調變器，利 用外加電壓使鍺區溫度上升，進而改變鍺區之折射係數與吸收係數。先前之研究 中，分為熱光折射式調變器 [2]以及熱光吸收式調變器[3] ，前者之鍺區厚度為 10μm ，反應時間約為10μs; 而後者之鍺區厚度為2μm ，反應時間約為240 ns 。上 述兩種熱光調變器皆以純鍺晶圓為初始材料，並配合 bonding 之製程製作，其製 作成本較高，消耗功率約為 mW 等級。考量鍺之比熱與熱導率[4] ，若鍺區厚度 越薄，其反應時間即可縮短，為達到高速高效能之目的，絕緣層上覆鍺薄層之研 究為首要目標。 文獻上有許多製作絕緣層上覆鍺材料之方法，包含利用矽鍺磊晶生長、 bonding(layer transfer 法) 、鍺濃縮法(Ge condensation)[5] 、液相磊晶法(liquid phase epitaxy) 等。於液相磊晶法中，近期有研究先於絕緣層上製出矽晶種，再以之製 作絕緣層上覆鍺材料 [6] ，但初期且最著名之方法為Stanford 大學所提出，利用 rapid melting growth 生長[7] ，並被IBM用於製作 Ge雪崩式光偵測器，發表於著 名期刊 Nature中 [8] 。液相磊晶法或rapid melting growth 之優點為效率高且成本 低，因此本計畫運用此生長方法，並結合絕緣層上覆矽之初始材料，以開發鍺薄 層材料之新製程。 1    四、研究方法 本計畫採用絕緣層上覆矽晶圓為初始材料，其上層矽之厚度為 300 nm ，絕緣層 (buried oxide, BOX)厚度為 1μm 。首先清洗晶圓，並且利用光阻塗佈機塗佈上 S1813 正光阻，利用曝光顯影的過程定義不同圖形大小，包含 5μm×5μm 及 10μm×10μm的陣列。接著利用乾蝕刻 (reactive ion etching-RIE)來移除未保護的矽 區，並且使用熱蒸鍍方法沉積鍺在絕緣層上，鍺之厚度可與矽齊高或較低，之後 利用丙酮掀離 (lift-off)移除多餘的鍺。最後利用電漿輔助化學氣相沈積 (plasma-enhanced chemical vapor deposition-PECVD)沉積二氧化矽覆蓋於矽鍺結 構之上作為上蓋層(capping oxide) ，其厚度約為微米等級。此時鍺區上下層皆為 絕緣層，四周被矽所包圍。使用快速熱退火機台 (rapid thermal annealing-RTA)進 行退火流程，升溫速度約為 20~30℃/s ，由室溫升到超過鍺熔點(937℃)