等级II–半稳定陶瓷圆片电容器.PDFVIP

等級II – 半穩定陶瓷圓片電容器 等級II – 半穩定陶瓷圓片電容器 CLASS II – Semi Stable Ceramic Disk Cap acitors CLASS II – Semi Stable Ceramic Disk Cap acitors 概述 註：修訂C 之前的EIA RS-198 修訂組合等級II 標示下之半穩定及較高-K 通用型陶瓷電容 器。等級II 現僅特指依照以下定義之半穩定陶瓷電容器。等級III 現指高-K 通用型電容器， 而等級IV 係針對降低的鈦酸鹽或障壁層類型的電容器，該電容器以前定義為等級III 。 Maida 提供標準等級II 半穩定電容器，與EIA RS-198-C 之標示一致。這些陶瓷圓片電容器 採用高介電常數（K500 ），以鈦酸鋇為主的鐵電體配方。該電容器表現突出的非線性溫度 特性，對於電壓、頻率及電容與時間的可預測對數衰減等有明顯的依存性。此群組的特色為 介電常數範圍為500 至3000 ，且電容值在溫度額定範圍內隨溫度的改變而變化±15%或以 下。Maida 提供的電容器具有X5F 、Z5P 、X5P 、X5R 及X7R 溫度特性碼，稍後將再解釋。 這些電容器適合用對於Q 及電容器穩定特性並不特別重視的旁通、耦合及濾波應用；這些 電容器呈現與時間、電壓及頻率可預測的變化。 規格 電容及消散係數： 電容及消散係數（Q ）應在25℃且小於2.0VAC ，頻率1KHz 下量測。消散係數最大應為2.5% 。 提供之標準電容公差： 公差 代碼字母 ± 10% K ± 20% M +80% ，-20% Z +100% ，-0% （GMV ） P 電壓額定值： 500VDC – 30KVDC （見表） 絕緣體電阻： 絕緣體在 100VDC 充電且充電電流限制在50mA 下2 分鐘後，在端子之間於25℃所量測的 電阻應不低於 10,000MΩ。 介電耐電壓： 施用2 倍額定DC 電壓5±1 秒後，電容器應符合原始要求。 提供之溫度係數： 根據EIA-198-C 使用3 位數代碼：第一個字母標示溫度的下限，數字標示溫度的上限，最後 的字母定義為以25℃值作為參考在此範圍下最大的電容變化。 第1 個字母 數字 最後的字母 X= -55C 5 = +85C F = ±7.5% Y = -30C 7 = +125C P = ±10% Z = +10C R = ±15% 溫度額定值： 等級II 電容器在EIA 碼所顯示的溫度限制內操作，可在-55℃至+125℃之間儲存不會影響其 效能。 壽命測試： 電容器應可承受額定DC 電壓 1.5 倍的電位於85℃達1000 小時。完成測試後24 小時測試電 容器，電容改變應不超過 10% ；D.F. （消散係數）應為5.0% ；最小I.R （絕緣電阻）應為 1000MΩ。 溼度電阻： 電容器暴露於40℃在相對溼度95%下 100 小時後，應具有最小I.R. （絕緣電阻）為1000M Ω而最大D.F 應為5.0% 。 結構 塗層材料： Maida 標準圓片電容器外層均附有乾製程液體床（fluid-bed ）的環氧樹脂塗層，或應用濕浸 法後烘製的酚類塗層。表上所列的直徑及厚度尺寸為環氧樹脂單元。這些尺寸一般要比酚類 塗層的電容器（同等值）直徑大 1/32 （0.031 ）英吋；各塗層均具有抗燃性。 導線上的塗層控制： 直線導線 – 塗層若從圓片底部所畫的切線上量測時，不會在導線上延長超過 1/8” 。 成型導線 –塗層不會延長至扭結（定義為電容器的「黏著平面」）下方。 導線： 材料 – 標準導線為鍍錫銅線，為22AWG 或20AWG （美國線規）。所有小於最大直徑1/2” 及額定低於8KVDC 的電容器均使用22AWG ，其他所有電容器則使用20AWG 。 組態 – 標準導線為直線且長（最短 1”）。提供有剪裁及／或成型導線。一些提供的許多導 線型式，請參閱第25 頁。 導線距離 – 在標準電容器上，公稱的導線距離主要由圓片直徑決定。請參閱電容器表；可 提供其他的導線距離。 標記 使用雷射標記及油墨戳印標記方式。所有的單元必須標記「MDC 」、額定電容、電容