纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究.PDFVIP

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2017-06-15 发布于天津
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纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

第卷第期液晶与显示３２　６　　 Vol．３２　No．６　　　　　　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年月 q y p y ２０１７６　　　 Jun．２０１７文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１７０６Ｇ０４６７Ｇ０７纳米M O晶体制备及其二次电子 g 发射系数理论研究１∗ １１２ , , , 韦海成许亚杰肖明霞吉文欣 ( , ; １．北方民族大学电气信息工程学院宁夏银川７５００１１ , ) ２．宁夏大学能源化工重点实验室宁夏银川７５００２１ : , ( ) 摘要为了研究 M O晶体和二次电子发射效率间的关系分析了直接沉淀镁盐法生成 M OH 以及三段式温度煅烧 g g ２ ( ) , . , M OH 制备 M O晶体的过程并使用扫描电镜和 XRD对制成的 M O晶体进行了表征在此基础上采用第一性 g ２ g g , . 原理对 M O晶体的能带结构和态密度进行了计算分析了晶体表面的结晶取向对 M O二次电子发射系数的影响实 g g , , , ( )、( )、( ), 验结果表明本方法制备的M O为立方晶体且晶粒尺寸均匀分布在４０．６５nm附近晶面取向为２００１１１２２０ g ( ) . ( )、( ) ( ) , ( ) , 并沿取向择优生长常见的和三种晶面取向中表面取向的晶体禁带宽度最低材２００１１０１００１１１１１０ M O g 料表面的二次电子发射系数相对较高. : ; ; ; 关键词晶体二次电子发射系数第一性原理直接沉淀法　　 M O