衬底与缓冲层的晶格失配对CeO2 缓冲层外延生长的影响.PDFVIP

第44 卷 第9 期 稀有金属材料与工程 Vol.44, No.9 2015 年 9 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING September 2015 衬底与缓冲层的晶格失配对CeO2 缓冲层外延生长的影响 1,2 1 2 2 3 2 1 王 辉 ，曹丽云 ，王 耀 ，金利华 ，吕建凤 ，李成山 ，黄剑锋 (1. 陕西科技大学 教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室，陕西 西安710021) (2. 西北有色金属研究院，陕西 西安 710016) (3. 重庆师范大学，重庆 401331) 摘 要：采用金属有机沉积（MOD ）技术在LaAlO (LAO) 、Y 稳定的氧化锆（YSZ ）和Ni -W 衬底上沉积了CeO 缓冲 3 2 层薄膜，并研究了衬底与缓冲层的晶格失配对其外延生长的影响。结果表明，随着衬底和缓冲层薄膜之间晶格失配的 增大，缓冲层薄膜内部的压应变增加，晶界浓度增加，晶粒生长速率减小。衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配越小， 越有利于薄膜织构度的增大。CeO2 薄膜的表面形貌及粗糙度的演化对衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配并没有明确的 依赖关系。 关键词：涂层导体；缓冲层；晶格失配 中图法分类号：TM26 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2015)09-2250-05 涂层导体是由衬底、缓冲层、超导层和保护层组 衬底到超导层晶格常数依次增大、晶格常数依次减小和 成的多层膜复合材料，薄膜与衬底之间和薄膜与薄膜 晶格常数呈纺锤型变化）对缓冲层织构传递、多层膜生 [8] 之间的应力状态是影响缓冲层和超导层生长行为的重 长过程、晶格外延关系、薄膜缺陷的形成的影响 。本 [1-3] 要因素 。薄膜应力包括外延应力、热应力和本征应 实验将着重研究衬底与缓冲层之间晶格失配对缓冲层 力，其中外延应力源于薄膜与衬底之间的晶格失配， 薄膜外延生长行为的影响。CeO2 具有热稳定性好、与 本征应力源于薄膜在生长过程中各种缺陷，热应力源 YBCO 晶格失配小等优点，是一种很有潜力的缓冲层 [4,5] 于薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异 。低成本涂层 材料；同时采用MOD 法在带有织构的NiW 衬底上沉 导体常使用轧制辅助双轴织构（RABiTS ）镍基合金做 积CeO2 薄膜的工艺过程已经成熟且容易控制，因此本 衬底，用金属有机沉积（MOD ）方法制备超导层和缓 工作将通过研究实用涂层导体中晶格失配引起的 冲层。NiW 金属基带的晶格常数远小于超导层和缓冲 CeO2 薄膜应变对 CeO2 缓冲层膜的织构和表面形貌的 层氧化物的晶格常数，晶格常数从a=0.354 nm （NiW ， 影响来探索CeO2 薄膜的外延生长机制。 简单面心立方）过渡到a=0.382 nm （YBCO ，畸变钙