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硅光电池特性的研究 班级：物本0701 姓名： 学号：2007091100 指导老师： 硅光电池特性的研究 摘要：目前，太阳能的利用主要集中在热能和发电两方面。而硅光电池是一种半导体光电转换器件,它能把光能直接转换成电能具有效率高、重量轻、体积小、寿命长等一系列特农业生产和国防建设中开发利用太阳能和用于控制、检测的一种重要元件。1 实验原理 1.1 PN结的形成及单向导电性原理? 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。 PN结：一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 1.3测硅光电池的伏安特性的原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，其基本结构如上图所示，当半导体PN结处于零偏或负偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场。当没有光照射时，光电二极管相当于普通的二极管。其伏安特性是 （1） 式(1)中I为流过二极管的总电流,Is为反向饱和电流，e为电子电荷，k为玻耳兹曼常量，T为工作绝对温度，V为加在二极管两端的电压。对于外加正向电压，I随V指数增长，称为正向电流；当外加电压反向时，在反向击穿电压之内，反向饱和电流基本上是个常数当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过PN结两端的电流可由式（2）确定： （2） 此式表示硅光电池的伏安特性。式（2）中I为流过硅光电池的总电流,Is为反向饱和电流，V为PN结两端电压，T为工作绝对温度，Ip为产生的反向光电流。从式中可以看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结的电流I=Ip；当光电池处于负偏时流过PN结的电流I=Ip-Is。因此，当光电池用作光电转换器时，光电池必须处于零偏或负偏状态。 1.4测硅光电池的负载特性的原理 光电池作为电池使用如下图所示。在内电场作用下，入射光子由于内光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很小时，电流较小而电压较大；当负载很大时，电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定硅光电池的负载特性。 2实验内容 2.1仪器的安装 2.1.2安装场地该仪器是实验用仪器。为了提高仪器的工作质量和延长仪器的使用寿命，在选择仪器安装场地时应注意以下几点：1．环境温度 20±5℃ ．净化湿度 ＜65% ．无强振动源、无强电磁场干扰。 ．室内保持清洁、无腐蚀性气体。 ．仪器应放置在坚固的平台上。 ．仪器放置处不可长时间受阳光照射。 ．室内应具稳压电源装置对仪器供电，装有地线，保证仪器接地良好。2.2实验操作步骤 2.2.1在没有光源（全黑）的条件下，测量太阳能电池正向偏压时的I-U 特性（直流偏压从0-3.0V） （1）设计测量电路图，并连接。 图1 利用测得的正向偏压时I-U关系数据，画出I-U曲线并求出常数和的值。 2.2.2在不加偏压时，用白色光照射，测量太阳能电池一些特性。注意此时光源到太阳能电池距离保持为20cm. （1）设计测量电路图，并连接。 图2 （2）测量电池在不同负载电阻下，I对U变化关系，画出I-U曲线图。 （3）求短路电流和开路电压。 （4）求太阳能电池的最大输出功率及最大输出功