研究生陳柏廷指導教授戴亞翔博士.PDFVIP

多晶矽薄膜電晶體在關閉區閘極脈衝電壓操作下的劣多晶矽薄膜電晶體在關閉區閘極脈衝電壓操作下的劣 多晶矽薄膜電晶體在關閉區閘極脈衝電壓操作下的劣多晶矽薄膜電晶體在關閉區閘極脈衝電壓操作下的劣 化行為研究化行為研究 化行為研究化行為研究 研究生 :陳柏廷 指導教授 : 戴亞翔 博士 國立交通大學國立交通大學 國立交通大學國立交通大學 顯示科技研究所碩士班顯示科技研究所碩士班 顯示科技研究所碩士班顯示科技研究所碩士班 摘要摘要 摘要摘要 多晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFTs )在顯示器中已被廣泛地使用 ，在三階驅動 的應用上 ，由於電路結構的關係，會使得元件操作於閘極關閉區(Gate AC OFF) 中；另外在更廣泛被採用在 主動式矩陣 (Active matrix)驅動的面板上 ，我們發 現每個畫素上的電晶體 ，會長時間地處於汲極信號的關閉區操作情況。 在本論文中 ，主要是針對閘極關閉區的元件劣化行為做進一步的探討 。並藉 由和其他劣化條件的交叉比較 。發現劣化原因主要是來自於靠近汲極的大電場造 成的劣化行為 ，這些劣化條件之間的差異，主要是在劣化電流的來源與大小不 同。並且由於電流大小的差異 ，造成劣化的程度也會不一樣。 最後 ，為了了解在動態操作下元件的劣化行為的細節，我們考慮了許多不同 的波形條件 ，並且探討他們與劣化趨勢之間的相依性。我們試著使用RC 充放電 的概念去解釋這些行為 ，並設計了幾個小實驗確認我們的想法。 藉由這些新發現 ，期望以後在設計元件或是驅動電路上，能夠把這些劣化行 為考慮進去 ，以增加元件的可靠度。 I Degradation Mechanism of Poly-Si TFTs Dynamically Operating in the OFF Region Student :Po-Ting Chen Advisor : Dr. Ya-Hsiang Tai Department of Display Insititute College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University Abstract Poly silicon TFTs are widely used in LCD panels. In the storage-on-gate array structures, each pixel TFT would be under Gate AC Off region operation. In active matrix addressing method, we found that each TFT is most of time under drain off region dynamic operation. In this thesis, we want to focus on the degrad