内存的性能指标资料.ppt

内存的性能指标 tCK（时钟周期） 存取时间 CAS的延迟时间 tAC ECC 综合性能 tCK（时钟周期） tCK代表内存所能运行的最大频率，数字越小说明内存芯片所能运行的频率越高。对于一片普通的PC-100的SDRAM内存条来说，其芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为l0ns，即可在100MHz的外频下正常工作。大多数内存标号的尾数表示tCK周期，如PC-133标准要求tCK的数值不大于7.5ns。 存取时间 存取时间代表读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。如LG的PC100 SDRAM芯片上的标识为7J或7K，说明它的存取时间为7ns，但它的系统时钟频率依然是10ns，外频为100MHz。 CAS的延迟时间 CL（CAS Latency）为CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能在CL＝2或CL＝3的模式下运行，也就是说，它们读取数据的延迟时间可以是两个时钟周期也可以是3个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM（即SPB）中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL＝2这一默认的模式运行。 tAC tAC是CAS延迟时的最大输入时钟值，PC-100规范要求在CL＝3时，tAC不大于6ns，而某些内存编号的尾数表示的就是这个值。 ECC ECC是新型内存中普遍提到的一种技术名词，它是内存校验的一种。ECC与传统的奇偶校验（Parity）类似，然而奇偶校验只能检测到错误所在，并不能进行纠正，ECC却可以纠正绝大多数错误。它不仅能够检测一位错误，而且能够纠正一位错误，这意味着系统能在不中断和不破坏数据的情况下继续运行。 一般来说，内存条上的内存芯片是以双数形式出现的，如果有时看到单数的内存芯片，说明该内存是支持ECC（Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting，是一种具有自动纠错功能的内存）的，也就是说一旦发现内存其中一颗内存芯片有问题时，第5颗、第9颗或第17颗内存芯片就会自动替补。 综合性能 对于PC 100内存来说，就是要求当CL=3的时候，tCK（System clock cycle time）的数值要小于10ns、tAC（Access time from CLK）要小于6ns。这里强调是CL=3是因为对于同一个内存条，当设置不同CL数值时，tCK的值很可能不相同，当然tAC的值也不太可能相同。总延迟时间的计算公式如下：总延迟时间=系统时钟周期×CL（CAS Latency）模式数+存取时间，如某PC100内存的存取时间为6ns，可设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns×2+6ns= 26ns。这就是评价内存性能高低的重要数值。