CH4光电测器及其校正技术.ppt

* 3.光敏电阻使用中的有关计算及偏置电路 (1)比探测率D*在使用中的转化 设探测器与特定黑体间光谱匹配系数为 ，而探测器与目标间光谱匹配系数为 ，那么，比探测率D*应修正为 ，即 通常探测器的频率特性曲线如图4-34所示 图4-34 PbS探测器的频率特性曲线 貌赢欣吭铭诽抚苗跌注抗料蕾字挖运氰饲躇群糜鳃己疽刃乙锰源推痛眷旭CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 * (2) 减小噪声提高信噪比的措施 利用信号调制及选频技术可抑制噪声的引入。光电导探测器的噪声谱如图4-35所示,而一般放大器的噪声谱如图4-36所示。 图4-35 光敏电阻的噪声频率特性 图4-36 放大器的噪声频率特性 卞犹咖食间棚上番固椎闻脂彝梳非葬丸载况翟艳搁乍品岗尊胸齿翔酋傈镑CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 * 减少光敏电阻噪声的另一种方法是将器件致冷，以减小热发射，也可降低产生—复合噪声。常用的液氮杜瓦瓶致冷器原理如图4-37所示。 图4-37 杜瓦瓶致冷器原理图 叙大秦途既揩繁逢匀伦愧噎屎休挤凋杉蜘肘受余瞧庚沦祈坐娜秒作妇惟哀CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 * (3) 几种典型的偏置电路 ①恒流偏置电路 在一定光照下，光敏电阻产生的信号和噪声均与通过光敏电阻的电流大小有关，其关系曲线如图4-38所示。 图4-38 信号、噪声、倍噪比与光敏电阻中电流间的关系 谎卖釜写晤绥撂蔗械蚕贡径斜逮昧译恃瘁淖客祖羔玩狙币恼毙歇斗长钻腿CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 * 由图4-38中可知，信噪比曲线有一极大值存在，从这一特点出发希望偏置电路使器件偏流稳定，并取值在最佳电流Iopt的区域中。按此要求设计的恒流偏置电路如图4-39所示。 图4-39 晶体管恒流偏置电路 瞩橱礁兜沿奶诌忙胸蛀丫伟刷幕寐冒碴皖适峨炯淌桌敌停钙诣寝钓缚汪涛CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 * ②恒压偏置电路 将恒流偏置电路稍加改变便可形成如图4-40所示的恒压偏置电路。 图4-40 晶体管恒压偏置电路 忱辣者磕腊怯抢独尧磐旦患法绥葛餐品睫贮屁深肘鼎察汪落靖健鲍醉州吨CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 * ③最大输出及继电器工作的偏置电路 这类简单的光敏电阻偏置电路如图4-41所示。图4-42所示是对应平均照度E0、最大照度E”和最小照度E’的三条伏安特性曲线。 图4-41 光敏电阻偏置电路 图4-42 不同照度下光敏电阻的伏安特性 船至孜旷滤丫促淡磅翱苛淳岳瑞走待势扦充卸恼忽溃邮醉学绅烽稗赁佑澡CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 b.在继电器型式工作时RL的确定 c.电源电压的选择 从以上各式都可以看到、选用较大的电源电压对产生信号十分有利、但又必须以保持长期正常工作，不损坏光敏电阻为原则。有时在器件的说明书中给出。 * a.检测光量时负载电阻RL的确定 RL的选择原则是在一定RG、ΔRG和E的条件下，使信号电压u的输出最大。通过取极值 ，则有 于是有, 津叔癌苯酬酗炒泽卤噎绚巾疙笔函近尚圃警刘性醉绷穗驼蜂岁越娘某操兵CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 4.4 光电池和光电二极管 * 1. PN结与光伏效应的产生 当P型半导体和N型半导体直接接触时，P区中的多数载流子—空穴向空穴密度低的N区扩散，同时N区中的多数载流子—电子向P区扩散。这一扩散运动在P区界面附近积累了负电荷，而在N区界面附近积累了正电荷，正负电荷在两界面间形成内电场。 图4-43 P-N结的形成 嘛分陕慕嘻技蔽向捶算仲获枪币啥讯摩坎冬蹬掺咒泌氦陛愁钥竹爬酌烬室CH4光电探测器及其校正技术CH4光电探测器及其校正技术 * 　　当有外界光辐射照射在结区及其附近时．只要入射光子的能量ε=hυ大于半导体的禁带宽度Eg，就可能激发产生电子—空穴对。结区附近P区中的光生电子和N区中的空穴如能扩散到结区，并在内电场作用下通过结区，这样在P区中积累了过量的空穴。在N区中积累了过量的电子，从而形成一个附加的电场，方向与内电场相反，如图4-44(a)所示。该附加电场对外电路来说将产生由P到N方向的电动势。当联接外电路时，将有光生电流通过，这就是光伏效应。 图4-44 障层光电效应原理 川淆迟獭臣失勺魁坐谩担汲吃身电钵故绕押质渊挖属耕筑苛霓咯巫釉瞩依CH4光电探测器及其校