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2010年 春季《半导体物理学》学位考试复习提纲 第一章 导论 半导体晶体 重点掌握 晶体的基本概念； 布拉伐格子； 单胞与原胞； 密勒指数。 第二章 平衡状态下半导体体材的特性 重点掌握 描述每个量子态被电子占据的几率随能量E变化的分布函数； 费米能级EF； 本征半导体的载流子浓度； 掺杂半导体的载流子浓度。 第三章 非平衡状态下半导体体材的特性 重点掌握 非平衡状态指的是什么； 载流子的漂移输运现象； 载流子的扩散输运现象； 电导率方程； 爱因斯坦关系； 布尔兹曼关系； 连续性-输运方程。 第四章 平衡和偏置状态下的PN 结特性 重点掌握 PN的能带图； 接触势； PN结的偏置； 耗尽区厚度与电压的关系； 结电容。 第五章 PN 结的伏-安特性 重点掌握 肖克莱定律； 正偏条件下的 PN 结特性； 反偏条件下的 PN 结特性。 第六章 半导体表面和 MIS 结构 重点掌握 表面势； p型和n型半导体在积累、耗尽、反型和强反型状态下的能带结构 MIS 结构的 C-V 。 第七章 金属-半导体接触和异质结。 重点掌握 金属和低掺杂半导体形成的接触； 肖特基势垒； 功函数； 半导体的亲和能。 例题： 1，请给出图示晶面的密勒指数（Miller indices）： 2，现有三块半导体硅材料，巳知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为：p01 = 2.25×10 16/cm3；p