动态感应电流电阻抗断层成像的算法仿真论文.docVIP

　　动态感应电流电阻抗断层成像的算法仿真论文 .freelpedance;puter simulation;algorithms;tomography;Neethod Abstract:AIM To study the property of the algorithm of dynamic induced current electrical impedance tomography-Neethod and its dependency on independent measurement.METHODS FEM method aging area，and then Neethod and reconstruct images bers of coils for parision.RESULTS element，the iterative process ate. element，the iterative process can converge accurately at the practical conductivity，by ages pedance tomography，ICEIT）是电阻抗断层成像（EIT）技术的一个新的分支，该技术利用载流线圈在成像区域内产生变化的磁场，由电磁感应原理在成像区域内产生感应电场，继而通过区域周围的电极测量区域边界上的电位，经一定的重构算法来得到成像区域内电阻抗分布的图像.ICEIT按成像目标的不同可分为静态和动态两种，静态ICEIT以成像区域内的电阻抗的绝对分布为成像目标，动态ICEIT则以成像区域内的电阻抗变化量的分布为成像目标.到目前为止，只有ICEIT的动态算法可见诸报道.我们假设成像区域为一圆形区域，测量电极等间隔分布在区域的边界上.激励电流为频率是50kHz的正弦电流，大小是500mA.激励线圈的圆心等间隔分布在以成像区域的圆心为圆心的一个圆周上.成像算法需要两组测量数据之差，一组是电导率无扰动时的边界电压，即背景的边界电压，此时电导率为均匀分布，另一组为电导率发生扰动时的边界电压.独立测量数等于电极数减一再乘以线圈数.对给定的有限元剖分模型，设成像区域内的每个单元内的电导率为常数［1］ . 动态感应电流电阻抗成像模型如Fig1所示. 图1 动态感应电流电阻抗成像模型示意 略 1 正向问题 ICEIT的正向问题是指已知成像区域电导率的分布和激励线圈的电流，求成像区域的电位分布.由麦克斯韦方程组出发，可得ICEIT问题的微分方程［1］ : ［（σ+jωε）ψ］=-jωA （σ+jωε）2 A=μ0 （σ+jωε）（-ψ-jωA） （1）其中，ψ为成像区域的标量电位，σ为成像区域的电导率，ω是激励电流的正弦角频率，ε为真空介电常数，A是成像区域的矢量磁位，μ0 是真空磁导率，为矢量微分算子，j为虚数单位.边界条件是［1］ :ψn=jωA n （2）由于电导率发生扰动时的矢量磁位和没有扰动时的矢量磁位相比，差别很小，因此，可假定二者相等，这样可使电位的计算得以简化.又由于在50kHz电流的激励下，成像区域内的位移电流和传导电流相比可忽略不记，可假设位移电流为零.由这两个假设，并将电位的实虚部分离，可将微分方程组（1）简化为［1］ : （σψ）=-ωA σψn=-ωA n （3）和微分方程（3）相对应的能量泛函是［2］ : f（ψ）=12 ∫Ω ［σ ψ 2 ］dΩ+ ∫Ω σωA ψdS=min （4）Fig2是用于有限元法的剖分模型，剖分规模为4层和6层，节点数分别为81和169，单元数分别为128和288.用有限元法将成像区域离散，计算（4）的左侧并对节点电压矢量求导，可得关于节点电压的线 性方程组［1］ :s（σ）v=b（σ） （5）其中，v为节点电压矢量，σ是单元电导率组成的矢量，S（σ）为系数矩阵，b（σ）是常数矢量，他们均是σ的函数.解此方程组，即可得节点电压值v. 图2 用于有限元法的剖分模型 略 2 牛顿迭代法 ICEIT的逆问题是指已知激励线圈的电流和成像区域的边界电压，求成像区域电导率的分布.由于边界电压的测量值中，既有标量电位的成分，又有感应电动势的成分［1］ ，由于电导率发生扰动前后，感应电动势变化很小，经过两组测量值相减，可抵消感应电动势的成分，这样，仅能得到标量电位的差值，所以，仅能用于动态算法［1，2］ .由方程（5）可得:v=S（σ）-1 b（σ）.边界电压差表示为:g=c（s（σ）-1 b（σ）-s（σ0 ）-1b（σ0 ）） （6）其中g为相邻电极的标量电位差矢量，c为关联矩阵，σ0 为已知的背景电导率.对于n个激励线圈，可得n个形如（6）的方程组，将这些方程组并到一块，