制备工艺及参数对TbCo薄膜垂直磁各向异性能的影响.pdfVIP

第 36 卷第11 期 稀有金属材料与工程 Vo 1.36,NO.ll 2007 年 11 月 RARE METAL MATE阳ALS AND ENGINEERING November 2007 制备工艺及参数对 TbCo 薄膜垂直 磁各向异性能的影晌 黄致新 l ，章平 12 ，张~龙 12 ，五辉1 ，吴斌1 ，张锋1 ，李佐宜 3 。华中师范大学，湖北武汉 430079) (2. 邸阳师范高等专科学校，湖北丹江口 442700) (3. 华中科技大学，湖北武汉 430074) 摘 要:采用射频磁控溅射法制备了 TbCo 非晶黎直磁化膜，并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究。 结巢表明2 磁性层组分、溅射气ffi 、基片偏压以及后退火温度对 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的 影响。当 Tb 含量为 30%左右，或溅射气压为 0.53 Pa 肘， TbCo 薄膜的磁各向异性能Ku 会呈现极大值。基片偏应超过-60 V 以后， TbCo 薄膜 Ku 值开始显著上升，但超过-120 V 以后， Ku 值开始趋向饱和。 200 C 以上真空退火会使 TbCo 薄 膜磁各向异性能Ku 债明黯下降。产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关。 关键词: TbCo 薄膜1 磁各向异性:磁控溅射:工艺参数 中图法分类号: 0484 .43 文献标识码:A 文意编号: 1002-185X(2007) 1l-1947-04 居及 Si0 保护腥的顺序进行。溅射之前系统真空度优 2 引言 1.33x lO.4 Pao 各腥的溅射功率分别为 250、 375 和 随着磁记录痛度的不断提离，对记录介质的热稳 300 W。溥膜内各层的摩庭主意溅射时间来控制。样品 定性方面提出了越来越南的要求[1 ， 2] 。由于介质的热稳 的后退火是在 GZKT-l 型真空退火炉上进行。薄膜的 定性主要依赖于记录位的磁存储能与热扰动能的比 磁特性则由 VTBH-l 型商感度振动样品磁强计(VSM) 值一-KuV*/kBT， 一般认为站一比值应为 50 到 70[3， 4] 。 和 MTL-l 自动磁转矩仪测定:薄膜成分由日本电子生 但是，随着记录密度的提高，记录位的体积 P只会越 产的 JEOL JEM - 2000FX II 分析电镜附带的 来越小。因此，为了提高介质的热稳定性，需采用磁 EDAX9100 能谱仪测定:薄膜厚度则由荣罔 Ambious 各向异性能 Ku 值较大的介质。稀 公司生产的 xp嗣 II 型表团形貌仪所确定。薄膜的物相 分析是在日本理学生产的 XRD 提置上进行。 TbCo 薄膜具有乖}艾略各向界性能商、热稳定性好的特 点，因而倍受关注[5 ， 6] 。本实验采用磁控溅射法制备了 3 结果及讨论 TbCo 非晶薄膜，并就制备工艺参数对 TbCo 薄膜磁各 向异性能的影响进行了系统研究。