制备工艺对铟锡氧化物(ITO)粉末粒度的影响.pdfVIP

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稀有金属材料与工程 第 36 卷第8 期 Vo 1.36, NO.8 2007 RAREMETAL岛1ATERIALS AND ENGINEERING 2007 制备工艺对锢锡氧化物(ITO)粉末粒度的影晌 陈林12 ,关伯麟 1 (1.桂林工学院省部共建有色金属材料及其加工新技术教商部重点实革命絮,广西校林 541004) (2. 桦乡高等专科学校,江西部乡 337055) 们 摘 要:以纯 In, SnC1 -1 0 和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶钢锡氧化物(ITO)粉米。通过对钢和锡的络合放 4 2 叫什F例。2InCls-H 0 和(NH )2S C1 的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与钢离子 n 4 6 2 的总浓度比(TdTln)研究了络离子对 ITO 粉末粒度的影响,还系统地研究了沉淀剂的浓度、终点 pH 僚、前驱休洗涤次 数和锻烧瓶度对 ITO 粉末粮度的影响;通过X议。和激光粒度仪对所制粉体进行了我征。给果若是明:当 Tetlnn叶,沉淀 剂为 20%的 NH HC03 溶液,终点 pH 假为 6.0-7.0. 前驱体的洗糠次数为 6 次,锻烧温度为 700-800 .C 时所得 ITO 粉 4 米粒度最侬。 关键诩:锢锡筑化物(ITO); 络放法:络离子:纳米粉体:制备工艺 1ft圈法分类号: TF123.2+5 文章编号: 1002翩 185X(2007)08斗452嗣05 文献标识响:A ITO 粉末粒度的影响。 引言 2 实验 锢惕轼化物(lTO)是通过 Sn(IV)在 In203 品格中的 n 型掺杂形成的半导体,从而具有低电阻率、商红外 2.1 锢、锄销合盐的合成 光反射率、商可见光避过率等特性,广泛应用于四~ 用盐酸榕解金属锢,按氟离子总浓度与锢离子总 叶)溜合鼓酸和所得 平板显示器(如液晶显示器、等离子体显示屏、场致发 浓度比等于 5 (TdT InC1 桶前臣, 1n 3 光屏奇事)、太阳能电地、电磁榄屏蔽和进明导电材料等 再按最终产物中 In203:Sn02=9: l(质最比,下同)加入 领域[1-8] 。制备 ITO 膜的方法很多,但要制备大丽积

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